[实用新型]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：在硅片基底上依次层叠设置的隧穿氧化层、纳米晶硅层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层包括重掺杂区域和所述重掺杂区域以外的轻掺杂区域，所述重掺杂区域用于设置金属栅线。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述纳米晶硅层为掺杂纳米晶硅层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅片基底的掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的材质包括氧化硅，所述隧穿氧化层的厚度为1～3纳米。

6.根据权利要求1至5任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层、所述纳米晶硅层和所述掺杂多晶硅层设置在所述硅片基底的正面或背面中的至少一面。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层、所述纳米晶硅层和所述掺杂多晶硅层设置在所述硅片基底的正面，所述掺杂多晶硅层的表面依次层叠设置有钝化层、正面减反射层和正面电极，所述硅片基底的背面依次层叠设置有背面钝化接触结构、背面减反射层和背面电极。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层、所述纳米晶硅层和所述掺杂多晶硅层设置在所述硅片基底的背面，所述掺杂多晶硅层的表面依次层叠设置有背面减反射层和背面电极，所述硅片基底的正面依次层叠设置有掺杂层、钝化层、正面减反射层和正面电极。

9.根据权利要求7或8所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层包括层叠设置的氧化硅层和氧化铝层。

10.根据权利要求7或8所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面减反射层和所述背面减反射层均为氮化硅层。