[实用新型]镀膜设备

说明书

一种镀膜设备，包括：真空腔体，真空腔体包括真空腔室，真空腔体电连接第一电位；位于真空腔室内，且与真空腔体绝缘接触的电场组件，电场组件包括：电极架，电极架电连接第二电位，第二电位与第一电位不同；与电极架可拆卸连接的若干电极板，若干电极板分别与电极架电连接，相邻的电极板之间具有第一间隙。由于每块电极板均属于等电位，放电的环境一致，进而提升真空腔室内的电场分布均匀性。当电场均匀性提升会使得样品表面涂层的均匀性提升，进而提升镀膜效果。另外，相邻的电极板之间具有第一间隙，使得电极板之间形成空心阴极效应，进而使得辉光放电区域相互叠加，辉光变强，等离子体浓度增加，进而提升镀膜效率和质量。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种镀膜设备。

背景技术

类金刚石碳(Diamond-like Carbon，简称DLC)薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的一种亚稳态非晶材料，其机械、电学、光学和摩擦学特性类似于金刚石，导热性是铜的2～3倍，且透明度高、化学稳定性好。其具有极高的硬度、良好的抗磨损、优异的化学惰性、低介电常数、宽的光学带隙以及良好的生物相容性等特性，在精密仪器、汽车电子、医疗器材、国防工业等重要领域具有广泛的应用前景。

类金刚石碳薄膜都是亚稳态材料，在制备方法中需要有荷能离子轰击生长表面，利用真空等离子体放电技术是制备高硬度、高耐磨类金刚石碳薄膜的必要手段。目前类金刚石碳薄膜的制备主要采用物理气相沉积技术(PVD)和等离子体化学气相沉积技术(PECVD)。

其中，等离子体化学气相沉积技术是指通过低气压等离子体放电使气体碳源分解生成各种含碳的中性或离子基团(如CH₃、CH₂、CH+、C₂等)和原子(或离子)氢(H、H+)，并在基片负偏压的作用下使含碳基团轰击、吸附在基片表面，同时原子氢对结构中sp2碳成分产生刻蚀作用，从而形成由sp2和sp3碳混杂结构的氢化类金刚石碳薄膜。该方法提高了原料气体的分解率，降低了沉积温度，而且可以通过改变沉积参数来获得所需质量的薄膜。

相对于物理气相沉积技术，等离子体化学气相沉积技术制备类金刚石碳薄膜的整个过程沉积温度低(100℃)，采用气体为前驱物，节约了成本，处理量大，可实现大面积沉积。

然而，目前镀膜设备在进行等离子体化学气相沉积时仍存在诸多问题。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种镀膜设备，以提升镀膜质量和效率。

为解决上述问题，本实用新型的技术方案中提供一种镀膜设备，包括：真空腔体，所述真空腔体包括真空腔室，所述真空腔体电连接第一电位；位于所述真空腔室内，且与所述真空腔体绝缘接触的电场组件，其中，所述电场组件包括：电极架，所述电极架电连接第二电位，所述第二电位与所述第一电位不同；与所述电极架可拆卸连接的若干电极板，若干所述电极板分别与所述电极架电连接，若干所述电极板沿第一方向平行排布，且相邻的所述电极板之间具有第一间隙。

可选的，还包括：与所述电极板表面固定连接的若干载物板，相邻的所述载物板之间具有第二间隙。

可选的，所述第二间隙的尺寸范围为：10毫米～20毫米。

可选的，所述电极板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面均固定连接有若干所述载物板。

可选的，还包括：开设于所述真空腔体底部的绝缘滑槽；与所述电极架底部固定连接的若干万向球轴承，所述万向球轴承装配于所述绝缘滑槽内。

可选的，所述第一方向包括：竖直方向或水平方向。

可选的，所述第一间隙的尺寸范围为：10毫米～80毫米。

可选的，所述第一电位包括：接地电位；所述第二电位包括：负电位。