[实用新型]终点检测装置及刻蚀设备有效
申请号: | 202222229455.3 | 申请日: | 2022-08-23 |
公开(公告)号: | CN217983274U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 张涛;张彬彬;苏财钰;陈洋;王鹏鹏 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 张博 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 终点 检测 装置 刻蚀 设备 | ||
本实用新型属于半导体制造技术领域,涉及一种终点检测装置及刻蚀设备,终点检测装置包括透光组件,覆设于检测通道的出口处,透光组件包括透光件和疏水膜,疏水膜贴附于透光件朝向检测通道的一侧;检测组件,设置于透光组件背离检测通道的一侧;以及控制阀组件,包括设置于所述检测通道上的第一控制阀和第二控制阀,第一控制阀较第二控制阀更靠近反应腔,第一控制阀配置为使检测通道在真空导通状态和真空阻隔状态间切换,第二控制阀配置为对所述检测通道导入或阻隔外部气体。本实用新型在透光件表面贴附疏水膜以降低黏附量,延长透光件的使用寿命;通过第一控制阀和第二控制阀,避免更换透光组件时的破真空操作,降低停机时间,增加产能。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种终点检测装置及刻蚀设备。
背景技术
EPD(End Point Detection终点检测)是干法刻蚀工艺的重要部件之一,用于准确判断晶圆刻蚀过程中等离子体刻蚀终点,对于加工精度起着非常重要的作用。根据不同物质一般发射谱线不同和谱线强度与物质的多少相关的原理,EPD可以监控某些刻蚀反应物或生成物量的多少,自动检测刻蚀过程,控制刻蚀时间。由于EPD探头均为高精度光学元件,不能直接与腔体接触,行业内一般做法是在腔体上开孔,在开孔处安装10mm厚度的蓝宝石,以保持足够硬度不被压差损坏,并将EPD探头安装在蓝宝石上,EPD探头依然可以通过蓝宝石接收反应腔内的谱线。
然而,一般情况下反应腔内的生成物会慢慢附着在蓝宝石上,久而久之,这些附着物会影响EPD探头的侦测结果和侦测效率,甚至导致EPD探头完全无法侦测到谱线,从而无法准确进行终点检测。往往需开腔更换蓝宝石片,而更换厚蓝宝石的成本较高,且真空腔体每次开腔需关闭真空腔室各设备,一般至少影响12h产能,从而影响生产节拍和生产效率。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种终点检测装置及刻蚀设备,旨在解决蓝宝石使用寿命短需经常更换且更换时需打开真空腔而影响产能的技术问题。
本申请提提供的一种终点检测装置,用于反应腔的终点检测,所述反应腔的腔壁上设置有检测通道,所述终点检测装置包括:
透光组件,覆设于所述检测通道的出口处,所述透光组件包括透光件和疏水膜,所述疏水膜贴附于所述透光件朝向检测通道的一侧;
检测组件,设置于所述透光组件背离所述检测通道的一侧;以及
控制阀组件,包括设置于所述检测通道上的第一控制阀和第二控制阀,所述第一控制阀较所述第二控制阀更靠近所述反应腔,所述第一控制阀配置为使所述检测通道在真空导通状态和真空阻隔状态间切换,所述第二控制阀配置为对所述检测通道导入或阻隔外部气体。
上述终点检测装置,通过在透光件朝向反应腔的表面贴附一层疏水膜,使刻蚀生成物附着在透光件表面的沉积量降低,以延长透光件的使用寿命;通过在检测通道上设置第一控制阀和第二控制阀,能够避免更换透光组件时的破真空操作(即无需打开反应腔),可降低停机时间,增加产能,提高机台稼动率。
可选地,所述疏水膜的材质为硅氟材料,所述疏水膜的厚度小于所述透光件的厚度。
上述结构,疏水膜采用硅氟材质,能够使疏水膜具备降低其表面沉积生成物的效果,疏水膜也可采用其他氟素聚合物;疏水膜厚度小于透光件厚度,利于透光件和疏水膜在满足其使用要求的同时,降低成本。
可选地,所述疏水膜的外周尺寸与所述透光件的外周尺寸相同。
上述结构,利于疏水膜与透光件的贴合装配,同时,不会影响整个透光组件所占用空间。
可选地,所述透光件为蓝宝石。
上述结构,采用蓝宝石作为透光件,既能够满足透光率的要求,同时满足硬度要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造