[实用新型]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：包括：

基板；

第一金属层，设于所述基板上；

第一绝缘层，设于所述第一金属层上；所述第一绝缘层还开设有第一通孔，从所述第一通孔露出所述第一金属层上表面；

有源层，设于所述第一绝缘层上；

第二金属层，设于所述有源层上，且通过所述第一通孔和所述第一金属层连接；

第二绝缘层，设于所述第二金属层上；

第三绝缘层，设于所述第二绝缘层上；

第一ITO层，设于所述第三绝缘层上，并位于TFT的公共电极搭接区；

第四绝缘层，设于所述第一ITO层上方，并在公共电极搭接区开设有第二通孔，从所述第二通孔露出所述第一ITO层的上表面；所述第四绝缘层在TFT的漏极区还开设有第三通孔，从所述第三通孔露出所述第二金属层上表面；所述第四绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区；所述第四绝缘层在TFT与TFT之间开设有隔断区；其中，0＜所述凹槽区的深度≤所述第四绝缘层的厚度；0＜所述隔断区的深度≤所述第四绝缘层的厚度；

第三金属层，设于所述第四绝缘层上对应TFT的公共电极搭接区，并通过所述第二通孔和所述第一ITO层连接；

第二ITO层，和所述第三金属层位于同一水平，并通过所述第三通孔和漏极区的所述第二金属层连接。

2.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述凹槽区的深度＝所述第四绝缘层的厚度；

所述隔断区的深度＝所述第四绝缘层的厚度。

3.根据权利要求2所述的一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述凹槽区的底部和隔断区的底部分别设有垫层，所述垫层和所述第一ITO层位于同一水平面。

4.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一金属层采用夹层式结构为：Ti/Al/Ti、Al/Ti、Al/Mo、或Mo/Al/Mo。

5.根据权利要求1至3任一项所述的一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一绝缘层采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、或氧化铝制备；

所述第二绝缘层、第四绝缘层和第一绝缘层采用相同的材料制备。

6.根据权利要求1至3任一项所述的一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述有源层采用金属氧化物半导体材料制备。

7.根据权利要求1至3任一项所述的一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第三绝缘层采用有机高分子材料制备。