[实用新型]高频AT切晶振及系统有效
| 申请号： | 202221389078.3 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN217445326U | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 南琦 | 申请（专利权）人： | 苏州亿波达光电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/19 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 陈华红子 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴中区经济开发区越溪街道*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 at 切晶振 系统 | ||
1.高频AT切晶振，其特征在于，包括：
基板，所述基板的一端设有连接部，所述基板的另一端设有振动部，且所述振动部与所述连接部连接，且所述振动部的厚度尺寸小于所述连接部的厚度尺寸；
电极组件，包括激励电极、延伸电极，所述激励电极分别设于所述振动部的两端，且与所述延伸电极连接；所述延伸电极分别设于所述连接部的两侧。
2.根据权利要求1所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述激励电极包括第一电极、第二电极，所述第一电极、第二电极分别设于所述振动部的两面，且与所述振动部的振动区域贴合。
3.根据权利要求2所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述第一电极的径向中心线与所述第二电极的径向中心线平行。
4.根据权利要求3所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述振动区域的厚度尺寸小于所述振动部其他区域的厚度尺寸。
5.根据权利要求4所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述振动区域的厚度尺寸范围为：2～20μm。
6.根据权利要求2所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述延伸电极包括第三电极、第四电极，所述第三电极、第四电极分别设于所述连接部的两面，且与所述连接部贴合，且所述第三电极与所述第一电极连接，所述第四电极与所述第二电极连接。
7.根据权利要求1所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述基板采用AT切割基板。
8.根据权利要求1所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述振动部与所述连接部的连接处设有过渡部，所述过渡部的两端分别与所述振动部以及连接部连接。
9.根据权利要求8所述的高频AT切晶振，其特征在于，所述过渡部设有第一斜面以及第二斜面，所述第一斜面以及第二斜面分别设于所述基板的两面。
10.高频AT切晶振系统，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的高频AT切晶振。
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