[实用新型]用于发光芯片制程的基板

说明书

本实用新型公开一种用于发光芯片制程的基板，包括生长衬底、生长在生长衬底上的缓冲层以及生长在缓冲层背离生长衬底的一面上的外延层，缓冲层的厚度大于或等于100nm，外延层的厚度小于或等于8um，通过增加缓冲层的厚度，同时控制外延层的厚度较小，使得基板的Bow值较低，在后续的制程，如研磨抛光生长衬底以减薄生长衬底的过程中，基板不容易发生裂片。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种用于发光芯片制程的基板。

背景技术

在发光芯片的一些生产制程中，会先在生长衬底上生长出缓冲层，然后再在缓冲层背离生长衬底的一面外延生长出外延层，获得用于制作发光芯片的基板。为了减小所制成的发光芯片的厚度，往往是通过研磨、抛光生长衬底背离外延层的一面，将生长衬底的厚度减小至目标厚度。

基板的Bow值(衬底弯曲度)大小会影响研磨抛光过程，Bow值越大，在研磨抛光过程中基板越容易发生裂片，因此，需要控制基板的Bow值，来降低研磨抛光过程基板裂片的风险。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种Bow值低的用于发光芯片制程的基板。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种用于发光芯片制程的基板，包括生长衬底、生长在所述生长衬底上的缓冲层以及生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上的外延层，所述缓冲层的厚度大于或等于100nm，所述外延层的厚度小于或等于8um。

在一些实施例中，所述基板的Bow值小于或等于35um。

在一些实施例中，所述外延层设有多个用于容纳色转换材料的孔洞。

在一些实施例中，所述外延层可与电解液发生电化学反应，以通过电化学腐蚀法形成所述孔洞。

在一些实施例中，所述生长衬底的厚度大于或等于800um；或，所述生长衬底的厚度小于或等于200um。

在一些实施例中，所述生长衬底为蓝宝石衬底，所述缓冲层为AlN层，所述外延层为GaN层。

在一些实施例中，所述缓冲层包括交替层叠的AlN层和GaN层。

在一些实施例中，所述缓冲层的AlN层的层数比所述缓冲层的GaN层的层数多一层。

在一些实施例中，所述缓冲层包括依次生长在所述生长衬底上的AlN层、GaN层、AlN层、GaN层及AlN层。

在一些实施例中，所述缓冲层为采用物理气相沉积法和/或氢化物气相外延法生长在所述生长衬底上，所述外延层为采用氢化物气相外延法生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上。

本实用新型提供的用于发光芯片制程的基板，缓冲层的厚度大于或等于100nm，外延层的厚度小于或等于8um，通过增加缓冲层的厚度，同时控制外延层的厚度较小，使得基板的Bow值较低，在后续的制程，基板不容易发生裂片。

附图说明

图1是本实用新型一实施例用于发光芯片制程的基板的结构示意图；

图2是本实用新型另一实施例用于发光芯片制程的基板的结构示意图；

图3是本实用新型又一实施例用于发光芯片制程的基板的结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。