[实用新型]用于发光芯片制程的基板有效
| 申请号： | 202221207977.7 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN217544637U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 王帅;任俊杰;李洛 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 赵月芬 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 发光 芯片 | ||
1.一种用于发光芯片制程的基板，其特征在于，包括：
生长衬底；
生长在所述生长衬底上的缓冲层，所述缓冲层的厚度大于或等于100nm；以及
生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上的外延层，所述外延层的厚度小于或等于8um。
2.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述基板的Bow值小于或等于35um。
3.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述外延层设有多个用于容纳色转换材料的孔洞。
4.如权利要求3所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述外延层可与电解液发生电化学反应，以通过电化学腐蚀法形成所述孔洞。
5.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述生长衬底的厚度大于或等于800um；或，所述生长衬底的厚度小于或等于200um。
6.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述生长衬底为蓝宝石衬底，所述缓冲层为AlN层，所述外延层为GaN层。
7.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述缓冲层包括交替层叠的AlN层和GaN层。
8.如权利要求7所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述缓冲层的AlN层的层数比所述缓冲层的GaN层的层数多一层。
9.如权利要求8所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述缓冲层包括依次生长在所述生长衬底上的AlN层、GaN层、AlN层、GaN层及AlN层。
10.如权利要求1至9任一项所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述缓冲层为采用物理气相沉积法和/或氢化物气相外延法生长在所述生长衬底上，所述外延层为采用氢化物气相外延法生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上。
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