[实用新型]一种基于同步降压芯片的同步升压电路有效

专利信息
申请号: 202221030720.9 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN217135378U 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 艾纯;侯春明 申请(专利权)人: 神驰机电股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/088
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人: 郭云;肖秉城
地址: 400708 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 同步 降压 芯片 升压 电路
【说明书】:

实用新型公开一种基于同步降压芯片的同步升压电路,包括同步降压芯片、第一mos管、第二mos管、电感和隔离驱动器;所述同步降压芯片用于发出PWM信号控制第一mos管、第二mos管的通断;电源输入端和电感的一端连接,电感的另一端和第一mos管的漏极、第二mos管的源极、隔离驱动器的第一输出端连接;第一mos管的栅极与同步降压芯片第一驱动端连接,第一mos管的源极接地;第二mos管的栅极与隔离驱动器的第二输出端连接,第二mos管的漏极与负载连接;隔离驱动器的第一输入端与同步降压芯片第二驱动端连接,隔离驱动器的第二输入端接地。通过在同步降压电路上进行改进,并采用隔离驱动器作为第二mos管的驱动,不需要采用成本较高的同步升压芯片,从而降低了成本。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域,特别涉及一种基于同步降压芯片的同步升压电路。

背景技术

现有小功率(低于100W)的升压电路一般使用的是二极管整流,但在某些场景中,升压电路需要大功率几十安培电流,如果用二极管整流,那么就会造成温升高、损耗大,因此就需要采用同步升压电路。

但由于国外的同步升压芯片成本较高,且国内几乎找不到大功率的同步升压芯片电路。现在的小功率同步升压芯片,其输出功率及工作电压范围完全不能应用于大功率升压电路,因此基于同步降压芯片设计大功率同步升压电路。

实用新型内容

针对现有技术中同步升压电路输出功率较小的问题,本实用新型提出一种基于同步降压芯片的同步升压电路,在同步降压芯片的外围电路上进行改进,并采用隔离驱动器作为第二mos管的驱动,通过运用同步降压芯片达到大功率同步升压的设计目的。

为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:

一种基于同步降压芯片的同步升压电路,包括同步降压芯片、第一mos管、第二mos管、电感和隔离驱动器;所述同步降压芯片用于发出PWM信号控制第一mos管、第二mos管的通断;

电源输入端和电感的一端连接,电感的另一端和第一mos管的漏极、第二mos管的源极、隔离驱动器的第一输出端连接;第一mos管的栅极与同步降压芯片第一驱动端连接,第一mos管的源极接地;第二mos管的栅极与隔离驱动器的第二输出端连接,第二mos管的漏极与负载连接;隔离驱动器的第一输入端与同步降压芯片第二驱动端连接,隔离驱动器的第二输入端接地。

优选地,所述第二mos管的漏极还与第二电容的一端连接,第二电容的另一端接地。

优选地,所述电感的一端还与第一电容的一端连接,第一电容的另一端接地。

优选地,所述第一mos管的源极还与同步降压芯片的电压参考端和第三电容连接。

优选地,所述第三电容还与同步降压芯片的VB端、VSS端、第四电容连接。

优选地,所述隔离驱动器和同步降压芯片之间设置有第五电容。

综上所述,由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本实用新型至少具有以下有益效果:

1.本实用新型通过在同步降压芯片的外围设置第一mos管和第二mos管,并由同步降压芯片的HO端和LO端分别控制第一mos管和第二mos管的通断状态,这样输入和输出功率由外置的mos管的耐压决定,不由芯片决定,从而对输出功率进行扩展;

2.并采用隔离驱动器作为第二mos管的驱动,简化电路并实现可靠驱动。

附图说明:

图1为现有的同步降压电路示意图。

图2为根据本实用新型示例性实施例的一种基于同步降压芯片的同步升压电路示意图。

具体实施方式

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