[实用新型]一种基于同步降压芯片的同步升压电路有效

专利信息
申请号: 202221030720.9 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN217135378U 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 艾纯;侯春明 申请(专利权)人: 神驰机电股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/088
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人: 郭云;肖秉城
地址: 400708 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 同步 降压 芯片 升压 电路
【权利要求书】:

1.一种基于同步降压芯片的同步升压电路,其特征在于,包括同步降压芯片、第一mos管、第二mos管、电感和隔离驱动器;所述同步降压芯片用于发出PWM信号控制第一mos管、第二mos管的通断;

电源输入端和电感的一端连接,电感的另一端和第一mos管的漏极、第二mos管的源极、隔离驱动器的第一输出端连接;第一mos管的栅极与同步降压芯片第一驱动端连接,第一mos管的源极接地;第二mos管的栅极与隔离驱动器的第二输出端连接,第二mos管的漏极与负载连接;隔离驱动器的第一输入端与同步降压芯片第二驱动端连接,隔离驱动器的第二输入端接地。

2.如权利要求1所述的一种基于同步降压芯片的同步升压电路,其特征在于,所述第二mos管的漏极还与第二电容的一端连接,第二电容的另一端接地。

3.如权利要求1所述的一种基于同步降压芯片的同步升压电路,其特征在于,所述电感的一端还与第一电容的一端连接,第一电容的另一端接地。

4.如权利要求1所述的一种基于同步降压芯片的同步升压电路,其特征在于,所述第一mos管的源极还与同步降压芯片的电压参考端和第三电容连接。

5.如权利要求4所述的一种基于同步降压芯片的同步升压电路,其特征在于,所述第三电容还与同步降压芯片的VB端、VSS端、第四电容连接。

6.如权利要求1所述的一种基于同步降压芯片的同步升压电路,其特征在于,所述隔离驱动器和同步降压芯片之间设置有第五电容。

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