[实用新型]一种应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构

说明书

本实用新型涉及一种应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构，包含基层、分别设置在基层两侧的外层；所述基层采用FR‑4材料制成；两侧所述外层采用罗杰斯材料制成；本实用新型通过采用罗杰斯和FR‑4两种不同材料复合而成的PCB，利用罗杰斯材料的高频性能、低损耗特性以及热膨胀系数稳定，使整款PCB的漏电得到更大提升，Leakage规格值＜0.1pA@10V，抗干扰能力强，性能稳定，满足测试要求。

技术领域

本实用新型涉及探针卡领域，特指一种应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构。

背景技术

近年来半导体制程技术突飞猛进，超前摩尔定律预估法则好几年，现阶段已向32奈米以下挺进。目前产品讲求轻薄短小，IC体积越来越小、功能越来越强、脚数越来越多，为了降低芯片封装所占的面积与改善IC效能，现阶段覆晶(Flip Chip)方式封装普遍被应用于绘图芯片、芯片组、存储器及CPU等。上述高阶封装方式单价高昂，如果能在封装前进行芯片测试，发现有不良品存在晶圆当中，即进行标记，直到后段封装制程前将这些标记的不良品舍弃，可省下不必要的封装成本；探针卡是一种测试接口，主要对裸芯进行测试，通过连接测试机和芯片，通过传输信号对芯片参数进行测试。

目前现有的监测Wafer制作工艺的探针卡基于单一材质的PCB进行测试，PCB对温度和湿度的影响较大，抗干扰能力弱，在测试过程中Leakage不稳定,无法满足测试需求，影响检测效率。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构，包含基层、分别设置在基层两侧的外层；所述基层采用FR-4材料制成；两侧所述外层采用罗杰斯材料制成。

优选的，两侧所述外层的厚度为0.5-0.7mm。

优选的，两侧所述罗杰斯材料均为RO4350B。

优选的，两侧所述罗杰斯材料均与基层多层混压而成。

优选的，所述基层的厚度为1.6-2.2mm。

优选的，所述FR-4材料采用耐高温、绝缘的材料制成。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型通过采用罗杰斯和FR-4两种不同材料复合而成的 PCB，利用罗杰斯材料的高频性能、低损耗特性以及热膨胀系数稳定，使整款PCB的漏电得到更大提升，Leakage规格值＜0.1pA@10V，抗干扰能力强，性能稳定，满足测试要求。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为本实用新型所述的应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构的结构示意图。

其中：1、基层；2、外层。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

附图1为本实用新型所述的应用于监测wafer制作工艺悬臂式探针卡的PCB复合结构，包含基层1、分别设置在基层1两侧的外层2；所述基层1采用耐高温，绝缘好的FR-4材料制成；所述基层1的厚度为2mm；两侧所述外层2采用罗杰斯RO4350B材料制成；两侧所述外层2的厚度为0.5mm；两侧所述罗杰斯RO4350B采用低射频损耗，低介电常数随温度波动性，不同频率下稳定的电特性，易于大批量生产和FR-4的多层混压的材料制成。