[实用新型]高光效LED外延片以及LED芯片有效
| 申请号： | 202220851402.2 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN217522030U | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 曹斌斌;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高光效 led 外延 以及 芯片 | ||
1.一种高光效LED外延片，其特征在于，所述LED外延片由下至上依次包括衬底基板、保护层、扩展层、过渡层、第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层，其中；
所述过渡层、所述第一半导体层、所述有源发光层以及所述第二半导体层的相同一侧形成一粗糙斜面，所述过渡层包括第一过渡子层以及第二过渡子层，所述第一过渡子层层叠于所述保护层上，所述第二过渡子层层叠于所述第一过渡子层上。
2.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述第一过渡子层为ALGaN层和BGaN层重复交叠组成的周期性复合结构，周期数为3～10。
3.根据权利要求2所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述第二过渡子层为生长停顿层。
4.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述扩展层为GaN半导体层，所述GaN半导体层的厚度为1000-5000nm。
5.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为1000-2500nm。
6.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述有源发光层为多量子阱层，所述多量子阱层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述多量子阱层的周期为3～20。
7.根据权利要求6所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述InGaN量子阱层的厚度为3-7nm，所述GaN量子垒层的厚度为5-11nm。
8.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述衬底基板至少由Al2O3、Si或SiC中的一种材料制成。
9.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括权利要求1-8任一项所述的高光效LED外延片。
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