[实用新型]像素结构、图像传感器、电子设备

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：

半导体衬底，具有相对的第一面及第二面；

光电转换区，自所述第一面延伸至所述半导体衬底中，用于接收光信号以产生电信号；

浮动扩散区，自所述第一面延伸至所述半导体衬底中，且与所述光电转换区具有间距；

第一传输控制门及第二传输控制门，均设置在所述第一面上，且对应依次设置于所述光电转换区与所述浮动扩散区之间，以基于所述第一传输控制门和所述第二传输控制门将所述光电转换区的电信号转移至所述浮动扩散区。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一传输控制门位于所述第一面表面，所述第二传输控制门位于所述第一面表面，所述第一传输控制门与所述第二传输控制门之间还形成控制门交叠区，以在所述光电转换区与所述浮动扩散区之间形成连通的沟道。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述控制门交叠区的宽度小于0.2μm。

4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第二传输控制门延伸至所述第一传输控制门上或所述第一传输控制门延伸至所述第二传输控制门上以形成所述控制门交叠区。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一传输控制门包括自下而上叠置的第一栅介质层及第一传输控制门电极，所述第二传输控制门包括自下而上叠置的第二栅介质层及第二传输控制门电极，所述第一传输控制门电极靠近所述第二传输控制门一侧延伸超出所述第一栅介质层外缘或所述第二传输控制门电极靠近所述第一传输控制门一侧延伸超出所述第二栅介质层外缘以形成控制门交叠部，且对应所述控制门交叠部的所述第一传输控制门电极与所述第二传输控制门电极之间还形成有间隔部，所述控制门交叠部及所述间隔部形成所述控制门交叠区。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第一栅介质层、所述第二栅介质层的厚度相同或不同；和/或，所述间隔部与其侧部对应的所述第一栅介质层或所述第二栅介质层的厚度相同；和/或，所述第一栅介质层、所述第二栅介质层及所述间隔部的材料相同或不同；和/或，所述间隔部与对应的所述第一栅介质层侧面或对应的所述第二栅介质层的侧面相接触；和/或，所述第一栅介质层的厚度小于10nm，所述第二栅介质层的厚度小于10nm，所述间隔部的厚度小于10nm。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二传输控制门与所述浮动扩散区之间具有交叠区域。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一传输控制门在所述第一面的投影面积大于所述第二传输控制门在所述第一面的投影面积。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一传输控制门与所述第二传输控制门的工作时序相同，且所述第二传输控制门的关断态电压大于所述第一传输控制门的关断态电压，开启态电压大于或等于所述第一传输控制门的开启态电压。

10.一种图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的像素结构。

11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求10所述的图像传感器。