[实用新型]加料组件及具有其的单晶生长装置有效
申请号: | 202220767424.0 | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN217104139U | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 陈俊宏 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/02 | 分类号: | C30B15/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 徐章伟 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加料 组件 具有 生长 装置 | ||
本实用新型公开了一种加料组件及具有其的单晶生长装置,加料组件适于向单晶生长装置的坩埚内补充原料,加料组件包括:内筒、外筒、第一开关机构和第二开关机构,内筒内形成第一通道,内筒朝向坩埚的一端形成与第一通道连通的第一开口,第一通道内的原料适于通过第一开口落入坩埚,外筒套设在内筒的外周侧,内筒与外筒之间限定出第二通道以及朝向坩埚且与第二通道连通的第二开口,第二通道内的原料适于通过第二开口落入坩埚,第一开关机构适于打开或关闭第一开口,第二开关机构适于打开或关闭第二开口。根据本实用新型的加料组件,可以较好地控制单次投放至坩埚内的原料量,从而可以较好地减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及熔汤液面波动。
技术领域
本实用新型涉及晶体生长技术领域,尤其是涉及一种加料组件及具有其的单晶生长装置。
背景技术
在直拉单晶制造法中,在维持成减压下的惰性气体环境的腔室内,将晶种浸渍于坩埚内所积存的硅的原料熔汤中,并将所浸渍的晶种缓慢提拉,通过这种方式于晶种的下方生长出单晶硅。其中,在单晶生长的过程中,由于生产预定尺寸的晶棒所需的多晶原料无法精准预估,同时为防止原料浪费,因此需要向坩埚内补充多晶原料。但在相关技术的加料过程中,容易造成熔汤液面产生较大波动,进而影响单晶生长质量,且会产生熔汤飞溅,造成原料的浪费及影响单晶炉的稳定性。
实用新型内容
本实用新型提出了一种加料组件,可以较好地控制单次投放至坩埚内的原料量,具有减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面波动的优点。
本实用新型还提出了一种具有上述加料组件的单晶生长装置。
根据本实用新型实施例的加料组件,适于向所述单晶生长装置的坩埚内补充原料,所述加料组件包括:内筒,所述内筒内形成第一通道,所述内筒朝向所述坩埚的一端形成与所述第一通道连通的第一开口,所述第一通道内的所述原料适于通过所述第一开口落入所述坩埚;外筒,所述外筒套设在所述内筒的外周侧,所述内筒与所述外筒之间限定出第二通道以及朝向所述坩埚且与所述第二通道连通的第二开口,所述第二通道内的原料适于通过所述第二开口落入所述坩埚;第一开关机构,所述第一开关机构适于打开或关闭所述第一开口;第二开关机构,所述第二开关机构适于打开或关闭所述第二开口。
根据本实用新型实施例的加料组件,通过第一开关机构的打开或关闭第一开口控制投放第一通道内的原料,通过第二开关机构打开或关闭第二开口控制投放第二通道内的原料,可以较好地控制单次投放至坩埚内的原料量,从而可以减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面波动,进而可以防止熔汤飞溅到其他部件上造成原料的浪费以及干扰,利于提升单晶生长装置的可靠性。此外,加料过程造成熔汤液面波动的幅度较小,利于熔汤液面快速恢复至较为平静的状态,从而降低熔汤液面波动对单晶生长的影响。
根据本实用新型的一些实施例,所述第一开关机构包括:第一盖体,所述第一盖体可活动地设于所述内筒临近所述第一开口的一侧;第一驱动件,所述第一驱动件适于驱动所述第一盖体远离或靠近所述内筒以打开或关闭所述第一开口。
根据本实用新型的一些实施例,所述第一盖体包括:主体部,所述主体部上形成沿周向间隔排布的多个嵌入凹槽;嵌入部,所述嵌入部与所述嵌入凹槽的数量相同且一一对应,所述嵌入部在伸出位置和缩回位置之间可活动地设于所述嵌入凹槽内,在所述伸出位置,在所述内筒的周向方向上,相邻的两个所述嵌入部的部分重叠。
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