[实用新型]应用于非易失性闪存存储器的控制电路及微控制单元芯片有效
申请号: | 202220656553.2 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN217607702U | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 张虚谷;柯志强;康泽华 | 申请(专利权)人: | 珠海极海半导体有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G11C5/14 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 钱娴静 |
地址: | 519060 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 非易失性 闪存 存储器 控制电路 控制 单元 芯片 | ||
1.一种应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,包括驱动控制电路、开关电路、第一储能回路、第二储能回路和第三储能回路;
所述驱动控制电路用于生成驱动信号并根据所述驱动信号控制所述开关电路,所述第一储能回路和所述第二储能回路并联连接在所述开关电路上,所述第三储能回路连接在所述第二储能回路上;
所述第一储能回路具有第一储能元件C1,所述第二储能回路具有第二储能元件C2,所述第三储能回路具有第三储能元件C3;
所述开关电路断开时,所述第一储能元件C1和所述第二储能元件C2对所述第三储能元件C3充电。
2.根据权利要求1所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述第一储能回路还具有第一输入电源V1,所述第二储能回路还具有第二输入电源V2;
所述第一储能元件C1的两端具有电压Vc1,所述第二储能元件C2的两端具有电压Vc2,所述第三储能元件C3的两端具有电压Vc3;
在Vc1、Vc2和Vc3均为零时,所述开关电路断开,所述第一输入电源V1对所述第一储能元件C1充电使Vc1=V1,所述第二输入电源V2对所述第三储能元件C3充电使Vc3=V2;
在Vc2为零时,所述开关电路闭合,所述第二输入电源V2对所述第二储能元件C2充电使Vc2=V2;
在Vc1和Vc2不为零时,所述开关电路断开,所述第一储能元件C1和所述第二储能元件C2对所述第三储能元件C3充电使Vc3=Vc1+Vc2。
3.根据权利要求2所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述第一储能回路还具有电阻R1、电阻R2和二极管D1;
所述电阻R1串联在所述第一输入电源V1的正极,所述电阻R1和所述第一储能元件C1并联连接在所述二极管D1的正极,所述电阻R2与所述二极管D1串联,所述电阻R2分别与所述第二储能回路和所述开关电路连接。
4.根据权利要求2所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述第二储能回路还具有电阻R3、电阻R4和二极管D2;
所述二极管D2的正极串联在所述第二输入电源V2的正极,所述电阻R4与所述二极管D2串联,所述电阻R3与所述第二储能元件C2串联,所述电阻R3和所述电阻R4并联连接,所述第二储能元件C2分别与所述第一储能回路和所述开关电路连接。
5.根据权利要求4所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述第三储能回路还具有二极管D3;
所述电阻R3和所述电阻R4并联连接在所述二极管D3的正极,所述第三储能元件C3与所述二极管D3的负极并联连接。
6.根据权利要求3至5任一项所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述电阻为可变电阻,所述电阻通过改变阻值大小来控制所述第一储能元件、所述第二储能元件或所述第三储能元件两端的电压。
7.根据权利要求1所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述开关电路包括控制开关和控制装置;
所述控制装置通过脉冲宽度调制信号控制所述控制开关的闭合和断开。
8.根据权利要求1所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述非易失性闪存存储器具体为NOR FLASH。
9.根据权利要求1所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路,其特征在于,所述驱动控制电路包括时钟产生电路、分压比较电路、控制模块电路和时钟幅度控制电路;所述时钟产生电路用于生成时钟信号;所述分压比较电路用于输出比较结果;所述控制模块电路用于根据所述比较结果生成幅度调节信号,并将所述幅度调节信号送入所述时钟幅度控制电路;所述时钟幅度控制电路连接于所述时钟产生电路与所述开关电路之间,所述时钟幅度控制电路用于根据所述幅度调节信号控制所述时钟信号的幅度大小并传输不同的时钟信号至所述开关电路。
10.一种微控制单元芯片,其特征在于,包括非易失性闪存存储器及如权利要求1至9任一项所述的应用于非易失性闪存存储器的控制电路。
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