[实用新型]一种用于刻蚀机的延时侦测预警系统及湿法刻蚀机有效
| 申请号: | 202220517952.0 | 申请日: | 2022-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN217008389U | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
| 发明(设计)人: | 杨春辉;陈露 | 申请(专利权)人: | 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 |
| 主分类号: | G08B21/18 | 分类号: | G08B21/18;G08B3/10;G01B11/00;H01L21/67;G02B5/08 |
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 刘小峰;张元 |
| 地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 刻蚀 延时 侦测 预警系统 湿法 | ||
本实用新型提供了一种用于刻蚀机的延时侦测预警系统,包含光传感器和延时报警装置。光传感器设置于刻蚀机内的机械手臂部,光传感器包含发射端和接收端;延时报警装置与光传感器通信连接,其包含用于设定工作时间阈值的计时模块和报警模块,并配置为响应于光传感器感测到机械手臂在工作区域内的实际工作时间大于工作时间阈值而发出报警信号。通过本实用新型实现了智能侦测及报警,有效防止湿法刻蚀机的机械手臂在工作的过程中出现酸槽超秒的情况,消除了因酸槽超秒而对产品的损伤,降低了晶圆片的报废率,降低了人力成本。本实用新型同时提供了一种包含该延时侦测预警系统的湿法刻蚀机。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于刻蚀机的延时侦测预警系统及包含该延时侦测预警系统的湿法刻蚀机。
背景技术
随着集成电路的不断发展,半导体器件的关键尺寸越来越小,刻蚀工艺作为半导体生产中必不可少的工艺也越来越重要。目前,最主要的刻蚀方法有两种:湿法刻蚀和干法等离子刻蚀。在湿法刻蚀中酸槽处理是关键步骤,通常将晶圆放置于酸槽中,浸泡一定的作业时间,然后取出移入紧邻水槽清洗,便可刻蚀晶圆上不需要的材料层。但是当酸槽腐蚀作业超时后,晶圆背面腐蚀过渡容易出现损伤层过大的问题,因此湿法刻蚀准确把控腐蚀时间尤为关键。但是目前的刻蚀机在酸槽处理时经常出现因计时控制系统信号丢失而导致酸槽超秒损坏晶圆的情况。
因此,现有技术中仍存在对湿法刻蚀时间侦测机制改进的需求。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提出了一种用于刻蚀机的延时侦测预警系统,借助于光传感器和漫反射板捕捉机械手臂工作位置,并通过延时报警装置判断是否超时并发出警报来解决刻蚀超时的技术问题。本实用新型同时提出了一种包含该延时侦测预警系统的湿法刻蚀机。
依据本实用新型,提供一种用于刻蚀机的延时侦测预警系统,所述刻蚀机包括机械手臂和侦测预警系统,其中,所述系统包括:
光传感器,所述光传感器设置于所述刻蚀机内的机械手臂上,所述光传感器包含发射端和接收端;
延时报警装置,所述延时报警装置与所述光传感器通信连接,所述延时报警装置包含用于设定工作时间阈值的计时模块和报警模块,并配置为响应于所述光传感器感测到所述机械手臂在工作区域内的实际工作时间大于所述工作时间阈值而发出报警信号。
在一些实施例中,所述刻蚀机进一步包括漫反射板,所述漫反射板设置于所述刻蚀机内,所述漫反射板设置为将所述发射端发出的光线反射至所述接收端。
在一些实施例中,所述光传感器为反射式光传感器。
在一些实施例中,所述光传感器进一步包含信号处理电路,所述信号处理电路将所述接收端接收的光信号转变为电信号并发送至所述延时报警装置。
在一些实施例中,所述发射端设置有红外发射管,所述红外发射管发射的光线的波长在830-950nm范围之间。
在一些实施例中,所述漫反射板对250-1500nm波段内的光线的反射率大于98%。
在一些实施例中,所述报警模块为蜂鸣器。
本实用新型再一方面还提供了一种湿法刻蚀机,所述湿法刻蚀机具有如上所述的延时侦测预警系统。
采取上述技术方案,本实用新型至少具有如下有益效果:
(1)通过设置漫反射板,来自不同角度的光线均可被反射,一方面增大了光线在机械手臂工作方向的照射范围,使得光传感器更准确地捕捉机械手臂的位置;另一方面通过反射增强了进入光传感器接收端的光照强度,确保信号强度。
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