[实用新型]一种单光子雪崩二极管及激光测距装置有效
申请号: | 202220494874.7 | 申请日: | 2022-03-07 |
公开(公告)号: | CN216958064U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 郑丽君;张宁;袁伟;朱春艳;张超 | 申请(专利权)人: | 上海灵昉科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;G01S17/08;G01S7/481 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 陈彦如 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光子 雪崩 二极管 激光 测距 装置 | ||
本实用新型公开了一种单光子雪崩二极管及激光测距装置,相比于现有技术中在覆盖在单光子雪崩二极管上的遮光板中开一个透光孔的方式,本实用新型将覆盖在单光子雪崩二极管上的遮光板分成预设数量的区域,预设数量大于或等于二,并在每个区域上均设有透光孔,使得单光子雪崩二极管的多个位置上均设有透光孔,使得整个单光子雪崩二极管的接收光能力更加均匀,提高了单光子雪崩二极管的工作可靠性。
技术领域
本实用新型涉及光子测量技术领域,特别是涉及一种单光子雪崩二极管及激光测距装置。
背景技术
SPAD(Single Photon Avalanche Diode,单光子雪崩二极管)是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管,单个光子就可以使SPAD电流达到饱和值,再通过后续信号处理电路对饱和电流进行检测就可以实现探测单光子信号。
现有技术中,为了控制SPAD的进光度,通常在SPAD上覆盖一层遮光板,在遮光板上开一个透光孔,通过改变这个透光孔的面积来控制SPAD的进光度比例,以此来获得不同接收光能力的SPAD。
但是实际使用过程中,SPAD上各个位置的感光能力并不相同,这就导致当透光孔的面积一样,即进光度比例相同时,不同的透光孔位置也会影响SPAD的感光量,降低了SPAD的工作可靠性。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种单光子雪崩二极管及激光测距装置,可以使得单光子雪崩二极管的接收光能力更加均匀,使得单光子雪崩二极管的感光量更加精准,提升了单光子雪崩二极管的工作可靠性。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种单光子雪崩二极管,包括单光子雪崩二极管及覆盖在单光子雪崩二极管上的遮光板;
所述遮光板包括预设数量的区域,所述遮光板在每个所述区域上均设有透光孔,所有所述透光孔的面积总和根据所述单光子雪崩二极管的进光度比例设置,所述预设数量大于或等于二。
优选的,所述遮光板为第一层金属,所述透光孔为所述第一层金属的开孔。
优选的,所述遮光板包括第一层金属和第二层金属,所述透光孔为所述第一层金属的开孔与所述第二层金属的开孔的交叠处。
优选的,所述单光子雪崩二极管包括圆形单光子雪崩二极管或多边形单光子雪崩二极管。
优选的,所述透光孔包括圆形开孔或多边形开孔。
优选的,所述区域的数量包括4*4至10*10个。
优选的,各个所述透光孔位于对应所述区域的中心位置。
优选的,所述透光孔在一个区域的数量为1-3个。
优选的,各所述区域的面积相等,各所述区域上透光孔的面积均相等。
本实用新型还提供了一种激光测距装置,包括:进光度比例为100%的第一单光子雪崩二极管阵列,进光度比例为10%的第二单光子雪崩二极管阵列,进光度比例为1%的第三单光子雪崩二极管阵列,所述第二单光子雪崩二极管阵列和所述第三单光子雪崩二极管阵列中的各单光子雪崩二极管为上述所述的单光子雪崩二极管。
本实用新型提供了一种单光子雪崩二极管,相比于现有技术中在覆盖在单光子雪崩二极管上的遮光板中开一个透光孔的方式,本实用新型将覆盖在单光子雪崩二极管上的遮光板分成预设数量的区域,预设数量大于或等于二,并在每个区域上均设有透光孔,使得单光子雪崩二极管的多个位置上均设有透光孔,使得整个单光子雪崩二极管的接收光能力更加均匀,提高了单光子雪崩二极管的工作可靠性。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的