[实用新型]一种单光子雪崩二极管及激光测距装置

权利要求书

1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括单光子雪崩二极管及覆盖在单光子雪崩二极管上的遮光板；

所述遮光板包括预设数量的区域，所述遮光板在每个所述区域上均设有透光孔，所有所述透光孔的面积总和根据所述单光子雪崩二极管的进光度比例设置，所述预设数量大于或等于二。

2.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述遮光板为第一层金属，所述透光孔为所述第一层金属的开孔。

3.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述遮光板包括第一层金属和第二层金属，所述透光孔为所述第一层金属的开孔与所述第二层金属的开孔的交叠处。

4.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述单光子雪崩二极管包括圆形单光子雪崩二极管或多边形单光子雪崩二极管。

5.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述透光孔包括圆形孔或多边形孔。

6.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述区域的数量包括4*4至10*10个。

7.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，各个所述透光孔位于对应的所述区域的中心位置。

8.如权利要求3所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述透光孔在一个区域的数量为1-3个。

9.如权利要求1至7任一项所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，各所述区域的面积相等，各所述区域上透光孔的面积均相等。

10.一种激光测距装置，其特征在于，包括：进光度比例为100％的第一单光子雪崩二极管阵列，进光度比例为10％的第二单光子雪崩二极管阵列，进光度比例为1％的第三单光子雪崩二极管阵列，所述第二单光子雪崩二极管阵列和所述第三单光子雪崩二极管阵列中的各单光子雪崩二极管为权利要求1-8任一项所述的单光子雪崩二极管。