[实用新型]一种解决腐蚀均匀性的装置有效
申请号: | 202220341133.5 | 申请日: | 2022-02-21 |
公开(公告)号: | CN217588848U | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 姜宏达 | 申请(专利权)人: | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈方淮;蔡学俊 |
地址: | 361021 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解决 腐蚀 均匀 装置 | ||
本实用新型涉及一种解决腐蚀均匀性的装置,包括反应容器,所述反应容器内设置有反应容器,所述升降腔内设置有用于吸附硅晶片并能够升降的旋转吸盘,升降腔内位于旋转吸盘的上方设置有随旋转吸盘同步升降的摆动喷头。该装置解决了浓酸腐蚀速率过快,导致的腐蚀不均问题。
技术领域
本实用新型涉及一种解决腐蚀均匀性的装置。
背景技术
为了降低减薄后产品损伤,改善减薄后产品翘曲程度,现有技术是通过浓酸腐蚀来实现。但随之而来的问题也极具凸显,因浓酸腐蚀剧烈,过程中产生大量的热,反应非常剧烈。采用普通的槽式清洗设备作业后,无法有效去除及剥离反映过程中的副反应物,堆积在产品表面,形成“橘皮”及发雾等腐蚀不均匀,存在发花现象。此腐蚀工艺无法达到量产,无法广泛应用。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种解决腐蚀均匀性的装置,该装置解决了浓酸腐蚀速率过快,导致的腐蚀不均问题。
本实用新型的技术方案在于:一种解决腐蚀均匀性的装置,包括反应容器,所述反应容器内设置有反应容器,所述升降腔内设置有用于吸附硅晶片并能够升降的旋转吸盘,升降腔内位于旋转吸盘的上方设置有随旋转吸盘同步升降的摆动喷头。
进一步地,所述反应容器的升降腔下部立式安装有由升降机构驱动升降的电机,所述电机的输出端与旋转吸盘相连接。
进一步地,所述升降机构为立式气缸、电缸或丝杆。
进一步地,所述旋转吸盘经真空管与抽真空设备相连接。
进一步地,所述升降腔的侧壁自下而上依次设置有若干个环形回收凹腔,所述摆动喷头上设置有与环形回收凹腔数目相同的输出管路。
进一步地,所述环形回收凹腔自下而上依次为化剂回收凹腔、清洗液回收凹腔、烘干回收凹腔,所述化剂回收凹腔的数目至少一个。
进一步地,所述升降腔的侧壁自下而上设置有三个化剂回收凹腔。
进一步地,所述摆动喷头上设置的输出管路为去离子水管路、氮气管路以及至少一路化剂喷淋管路。
进一步地,所述摆动喷头上设置有三路化剂喷淋管路。
与现有技术相比较,本实用新型具有以下优点:
1. 该装置针对产品腐蚀均匀性进行优化,打破固有工艺模式,彻底解决了浓酸腐蚀速率过快,导致的腐蚀不均问题,提高了均匀性,提高了制程能力;
2. 通过此设备装置,掌握独特旋转腐蚀工艺搭配技术,取得技术领先,有利于快速抢占市场;
3. 该装置大大改善了人员作业过程中酸性气氛侵害,同时降低劳动强度。
附图说明
图1为现有槽式浸泡式腐蚀槽的结构示意图;
图2为本实用新型的结构示意图;
图中:1-硅晶片 10-反应容器 11-升降腔 12-第一化剂回收凹腔 13-第二化剂回收腔 14-第三化剂回收腔 15-清洗液回收凹腔 16-烘干回收凹腔 20-旋转吸盘21-电机 22-真空管 30-摆动喷头 31-第一化剂喷淋管路 32-第二化剂喷淋管路33-第三化剂喷淋管路 34-去离子水管路 35-氮气管路。
具体实施方式
为让本实用新型的上述特征和优点能更浅显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下,但本实用新型并不限于此。
参考图2
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造