[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号: | 202220205274.4 | 申请日: | 2022-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN217214651U | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 畠山真一;川上浩平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本实用新型涉及基板处理装置,其不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括:保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部以及接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接受部,液体接受部在上部具有供基板穿过并向上方的空间开口的孔,液体接受部的内部被排气,基板处理包含供给处理和干燥处理,基板处理装置还包括相对于液体接受部的上表面进退自如的圆环状的圆环构件,在供给处理时,圆环构件以封堵液体接受部的孔的周缘的方式设于液体接受部的上表面,在干燥处理时,圆环构件自液体接受部的上表面退避。
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置。
背景技术
专利文献1中公开有一种在基板形成涂布膜的涂布装置。在该装置中,一边对放置基板的处理气氛进行排气,一边向绕铅垂轴线进行旋转的基板的表面喷出利用溶剂稀释了的抗蚀液,而形成由抗蚀液构成的涂布膜。接着,停止处理气氛的排气,在基板的外周部形成了在自基板的外缘部甩出的抗蚀液中产生的溶剂气氛的状态下,使基板绕铅垂轴线旋转,并且使该基板的表面的抗蚀液干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许6206316号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型的技术不提高对液体接受部的内部进行排气的排气压地防止自旋转的基板甩出的与液体接受部碰撞而成为雾状的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。
用于解决问题的方案
本实用新型的一技术方案是一种基板处理装置,其对基板进行处理,其特征在于,该基板处理装置包括:保持旋转部,其保持基板并使该基板旋转;供给部,其向被所述保持旋转部保持着的基板供给成膜处理液;以及液体接受部,其接受由于所述保持旋转部的旋转而自基板甩出的成膜处理液,所述液体接受部在上部具有孔,该孔供向所述保持旋转部保持的基板穿过并成为相对于上方的空间的开口,所述液体接受部的内部被排气,所述基板处理包含向基板供给成膜处理液并使该基板旋转的供给处理和在所述供给处理之后使基板旋转并使基板上的成膜处理液干燥的干燥处理,该基板处理装置还包括圆环状的圆环构件,该圆环构件构成为相对于所述液体接受部的上表面进退自如,在所述供给处理时,所述圆环构件以封堵所述液体接受部的所述孔的周缘的方式设置于所述液体接受部的上表面,在所述干燥处理时,所述圆环构件自所述液体接受部的上表面退避。
也可以是,所述液体接受部具有形成所述孔的顶壁,所述圆环构件在设置于所述液体接受部的上表面时成为自所述顶壁的内周端向内周侧延伸设置的状态。
也可以是,所述液体接受部具有供自所述基板向侧方甩出的处理液碰撞的侧方壁,所述顶壁以比所述侧方壁接近水平的角度自该侧方壁延伸。
也可以是,所述圆环构件的与被所述保持旋转部保持着的基板相对的面是以自外周侧朝向内周端逐渐降低的方式倾斜而成的倾斜面。
也可以是,所述圆环构件在与被所述保持旋转部保持着的基板相对的面的内周侧具有凸部,该凸部形成为与该圆环构件同心的圆环状并朝向该基板突出。
也可以是,所述圆环构件的上表面形成为平坦,所述上表面的内周端位于比被所述保持旋转部保持着的基板的外周端靠内侧的位置,所述上表面的外周端位于比所述液体接受部的所述孔的外周端靠外侧的位置。
也可以是,该基板处理装置还包括气流形成部,该气流形成部形成清洁气体的下降气流。
也可以是,所述圆环构件的内径为140mm以上且260mm以下。
也可以是,利用所述液体接受部的上表面和在该上表面设置的所述圆环构件的与该上表面相对的面形成迷宫构造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





