[实用新型]一种高产能立式炉有效
申请号: | 202220046464.6 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN216980506U | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 赵志然;郭艳;成秋云;周佑丞 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;C30B31/10;C23C16/44 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 产能 立式 | ||
本实用新型公开了一种高产能立式炉,包括炉体、供气系统、真空系统、竖直装载机构及安装于炉体内的内部加热部件、工艺管、载具舟、隔热支撑组件;所述炉体为立式炉结构,所述炉体上设置有炉门组件,所述竖直装载机构用来连接炉门组件,用来实现炉门组件中炉门的开启、关闭和密封;所述载具舟置于隔热支撑组件上;所述供气系统用来为炉体内提供设备工艺过程所需要气体;所述真空系统用来为炉体内提供真空气氛;所述载具舟为两组以上,用于放置载片。本实用新型具有原理简单、操作简便、能提高设备生产产能并提升电池片良率等优点。
技术领域
本实用新型主要涉及到半导体、光伏制造领技术领域,特指一种高产能立式炉。
背景技术
在半导体、光伏制造领域,普遍使用到立式炉,广泛用于对载片进行氧化、退火、掺杂、镀膜等工艺生产。例如,目前半导体行业用的立式炉一般仅装载一个载具舟,恒温区短,载片量一般25-50片,最大100片,生产产能提升有限;而目前光伏行业的氧化、退火、掺杂、镀膜等工艺生产大规模使用卧式炉结构。
硅片在卧式管式镀膜设备如卧式扩散炉、卧式PECVD、卧式LPCVD等中完成电池制造相应工序时,硅片与卧式炉体沿长度方向的中心线呈垂直方向,硅片至少有一边需要以卡点或线的方式固定,因而会产生卡点脏污、卡点烧焦等工艺问题,最终使得电池片良率指标降低。
在全球碳达峰、碳中和策略的时代背景下,光伏新能源行业飞速发展,市场端要求进一步提升产能降低单片电池片生产成本。硅片尺寸发展趋势不断扩大,卧式炉管不断加长且径向尺寸加大,已经接近工艺达标的瓶颈尺寸。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题就在于:针对现有技术存在的技术问题,本实用新型提供一种原理简单、操作简便、能提高设备生产产能并提升电池片良率的高产能立式炉。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种高产能立式炉,包括炉体、供气系统、真空系统、竖直装载机构及安装于炉体内的内部加热部件、工艺管、载具舟、隔热支撑组件;所述炉体为立式炉结构,所述炉体上设置有炉门组件,所述竖直装载机构用来连接炉门组件,用来实现炉门组件中炉门的开启、关闭和密封;所述载具舟置于隔热支撑组件上;所述供气系统用来为炉体内提供设备工艺过程所需要气体;所述真空系统用来为炉体内提供真空气氛;所述载具舟为两组以上,用于放置载片。
作为本实用新型的进一步改进:所述供气系统通过进气管道提供设备工艺过程所需要气体,所述进气管道连通至工艺管的腔体内。
作为本实用新型的进一步改进:所述进气管道设置在炉体顶部的中间区域。
作为本实用新型的进一步改进:所述供气系统与主供气喷淋管与补气喷淋管相连通,所述主供气喷淋管设置于所述炉体的顶部中央区域,所述补气喷淋管为多组并设置于所述炉体的顶部并沿工艺管的四周呈环状布置;所述补气喷淋管上设置有小孔。
作为本实用新型的进一步改进:所述竖直装载机构包括电机、减速机、移动模组、连接杆及滑块,并通过皮带传动或丝杆机构带动炉门组件沿炉体竖直方向移动,实现炉门组件中炉门的开启、关闭和密封。
作为本实用新型的进一步改进:所述载具舟包括上底板、下底板及竖向支撑杆,所述载具舟的结构采用上下对称布置形式;所述竖向支撑杆连接上底板和下底板;同侧的两根竖向支撑杆上横向连接有固定块,在所述固定块设置有圆孔,用于连接隔热支撑组件上的定位支撑杆。
作为本实用新型的进一步改进:所述隔热支撑组件用于阻挡工艺管内热量向炉门扩散,并用于放置并定位载具舟。
作为本实用新型的进一步改进:所述隔热支撑组件包括载具固定板、耐高温支撑杆、隔热板座及隔热板,所述载具固定板用于放置载具舟,且连接定位载具舟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造