[发明专利]一种薄膜微带电路的蚀刻工艺及设备

说明书

本发明公开了一种薄膜微带电路的蚀刻工艺及设备，涉及蚀刻工艺技术领域，本发明之装置包括L型底座，L型底座的顶端一侧设置有配置箱，配置箱的内部设置有配比机构，干燥室的内部设置有冲洗干燥机构；配比机构中两个限位条的相对一侧设置有滑槽，滑槽的中部顶端设置有摩擦层，摩擦层的一端与滑槽的一端相贴合，摩擦层靠近滑槽底端的一侧底端固定连接有增压块；冲洗干燥机构中放置板的内部沿相同间隔倾斜设置有多个转动叶片，干燥室的上下两端均设置有多个喷水管道。本发明为一种薄膜微带电路的蚀刻工艺及设备，不需要人工反复添加原料了，有效提高了工作效率的同时减少了外界环境对蚀刻液的污染，并且增大了基板冲洗的面积和干燥的面积。

技术领域

本发明涉及蚀刻工艺技术领域，特别涉及一种薄膜微带电路的蚀刻工艺及设备。

背景技术

薄膜微带电路的生产工艺包括溅射、表面处理、光刻、蚀刻、划片、测试等过程，蚀刻工艺是指去除非电路区域膜层的过程。蚀刻后薄膜微带电路最终成型。根据薄膜微带电路不同的应用场景，薄膜的膜层结构也完全不同，不同的膜层结构，其蚀刻工艺也会有很大的差异。目前使用比较广泛的膜层结构主要有TiW/Au体系和Cr/Cu/Au体系。

Ti/Au体系的薄膜微带电路的生产流程通常首先是溅射TiW层和Au层的种子层，在金层上光刻图形，然后带胶电镀将图形区域金层加厚，再采用干法蚀刻工艺将非图形区域的Au层蚀刻掉，然后采用湿法蚀刻去除TiW层，最终电路成型；Cr/Cu/Au体系的薄膜微带电路的生产流程通常首先是溅射Cr层和Cu层，在铜层上光刻图形，然后湿法蚀刻去除掉非图形区域的Cu层和Cr层，然后电镀金层，最终电路成型。

但是现有的蚀刻工艺技术中，蚀刻Au层、Cu层和Cr层分别用的是三种不同的蚀刻液，由于铜层的蚀刻液无法蚀刻金层，而铜层又在金层下面，所以在蚀刻完铜层后，铜层的侧向腐蚀会导致微带电路线条两侧边缘出现金层塌陷，从而影响薄膜微带电路的质量，因此现有设备将Au层和Cu层作为一个整体在一种蚀刻液中蚀刻掉，并且控制蚀刻工艺保证金层和铜层具有等量的侧向腐蚀，这样就彻底解决Cr/Cu/Au体系的薄膜电路在湿法蚀刻时电路线条两侧边缘金层塌陷的问题。

但是现有的蚀刻设备在配比蚀刻液时较为复杂，需要人工配比原料并在烧杯中不停的加料搅拌，烧杯在外界搅拌的过程中会与空气中的杂质反应形成其他的产物影响蚀刻液的品质，并且在后续过程中导致基板的蚀刻效果不够好，并且在后续的冲洗干燥过程中，对于基板的处理面积不够大，处理效果不够优异。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种薄膜微带电路的蚀刻工艺及设备，可以有效解决背景技术现有的蚀刻设备在配比蚀刻液时较为复杂，需要人工配比原料并在烧杯中不停的加料搅拌，烧杯在外界搅拌的过程中会与空气中的杂质反应形成其他的产物影响蚀刻液的品质，并且在后续过程中导致基板的蚀刻效果不够好，并且在后续的冲洗干燥过程中，对于基板的处理面积不够大，处理效果不够优异的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：本发明之一种薄膜微带电路的蚀刻工艺及设备，包括L型底座，所述L型底座的顶端一侧设置有配置箱，所述配置箱的内部设置有配比机构，所述L型底座的顶端另一侧设置有加热室和干燥室，所述干燥室的内部设置有冲洗干燥机构；