[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。该基板处理装置可以包括：腔室，该腔室用于在处理空间中产生等离子体、并且使用该等离子体处理基板；以及测量单元，该测量单元用于监测从处理空间的等离子体发射的光，其中，测量单元可以包括光收集单元，该光收集单元用于收集穿过在腔室的一个侧壁上形成的观察端口的光；以及光缆，该光缆具有紧固到在一端处形成的光收集单元的连接端子以传输光，其中，将能够测量光收集单元与光缆之间的紧固长度的测量构件设置在连接端子中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月24日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0186764的韩国专利申请、以及2022年9月21日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2022-0119120的韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法，并且更特别地，涉及用于使用等离子体处理基板的装置和方法。

背景技术

等离子体是指由离子、基团和电子构成的离子化气体状态。该等离子体由非常高的温度、强电场、或RF电磁场产生。半导体设备制造工艺可以包括使用等离子体去除在基板(诸如，晶圆)上形成的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体的离子和/或基团与基板上的薄膜碰撞或反应时，执行蚀刻工艺。

当在蚀刻工艺中使用等离子体处理基板时，准确地检测处理的终点以便不过度蚀刻基板是重要的。通常，在使用等离子体处理基板的工艺中，通过分析从等离子体发射的光的特性来确定处理的终点，该等离子体在处理基板的处理空间中产生。具体地，通过分析从等离子体发射的光的峰值来确定处理的终点。

图1为示意性地示出了一般的基板处理装置的视图。参考图1，基板处理装置1000可以包括在其中具有处理空间的壳体1100、用于在处理空间中支承基板W的支承单元1200、用于向处理空间供应气体的气体供应单元1300、以及用于通过激发供应到处理空间的气体而在处理空间中产生等离子体的等离子体源1400。观察端口1500形成在壳体1100的一个侧壁上。从在处理空间中产生的等离子体发射的光通过穿过观察端口1500而传输到用于收集光的光收集单元1600。此外，光收集单元1600将光信号传输到观察光的特性的观察单元1700。观察单元1700可以通过分析透射光的特性来检测处理的终点。

当使用等离子体处理基板W时，在处理空间中产生诸如颗粒的各种杂质B。杂质B可以在漂浮在处理空间中的情况下沉积，以附着到观察端口1500。在这种情况下，从等离子体发射的光不穿过观察端口1500，并且减少了传输到光收集单元1600的光。结果，观察单元1700不能准确地分析光的特性。

此外，当在处理基板W之后执行基板处理装置1000的维护时，各种类型的电缆等被附接和拆卸。例如，在执行维护的工艺中，可能拆卸连接光收集单元1600和观察单元1700以传输光信号的光缆1800。取决于光缆1800紧固到光收集单元1600的程度，传输到观察单元1700的光信号的强度变化。因此，当操作者在执行维护之后将光缆1800重新连接到光收集单元1600时，维护之前的紧固程度可能与维护之后的紧固程度不同。由于传输到观察单元1700的光信号的强度在执行维护之后每次都会变化，所以观察单元1700难以通过分析光信号来准确地检测处理的终点。

发明内容

本发明的目的是提供了一种能够均匀处理基板的基板处理装置和基板处理方法。

本发明的另一目的是提供一种在使用等离子体处理基板时能够准确地检测处理的终点的基板处理装置和基板处理方法。

本发明的又一目的是提供一种能够准确地分析从等离子体发射的光的特性的基板处理装置和基板处理方法。

本发明的再一目的是提供一种即使杂质在使用等离子体处理基板的情况下沉积在观察端口内，也能够准确地分析从等离子体发射的光的特性的基板处理装置和基板处理方法。