[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：

腔室，所述腔室用于在处理空间中产生等离子体、并且使用所述等离子体处理基板；以及

测量单元，所述测量单元用于监测从所述处理空间的所述等离子体发射的光，

其中，所述测量单元包括：

光收集单元，所述光收集单元用于收集穿过在所述腔室的一个侧壁上形成的观察端口的光；以及

光缆，所述光缆具有紧固到在一端处形成的所述光收集单元的连接端子以传输所述光，

其中，将能够测量所述光收集单元与所述光缆之间的紧固长度的测量构件设置在所述连接端子中。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述测量构件包括沿所述光缆的纵向方向指示的刻度。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述测量单元还包括分析单元，所述分析单元连接到所述光缆的另一端，以分析从所述光收集单元传输的所述光、并分析所述光的峰值数据以检测所述处理的终点。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述峰值数据根据所述紧固长度而改变。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述紧固长度和所述峰值数据彼此成比例。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，在执行所述处理的情况下，操作员根据所述紧固长度来收集所述峰值数据、并且将所收集的峰值数据记录为标准化数据。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述操作员改变所述紧固长度，使得当前检测到的峰值数据基于所述标准化数据被校准为正常状态下的正常峰值数据。

8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述连接端子具有与所述光缆的纵向方向相同的纵向方向，并且所述连接端子被紧固到所述光收集单元的一个壁，并且

从所述连接端子的一端到另一端指示所述刻度。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述测量构件包括距离传感器，所述距离传感器设置在所述连接端子的一侧上、并且测量到与所述连接端子连接的所述光收集单元的距离。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述腔室还包括：

支承单元，所述支承单元用于在所述处理空间中支承所述基板；

气体供应单元，所述气体供应单元用于将气体供应到所述处理空间；以及

等离子体源，所述等离子体源用于激发所述气体。

11.一种基板处理方法，所述基板处理方法用于通过在腔室中的处理空间中产生等离子体来处理基板，所述基板处理方法包括：

分析在所述处理空间中处理基板的情况下、从在所述处理空间中产生的等离子体所发射的光的峰值数据，以检测所述处理的终点，

其中，通过测量用于收集所述光的光收集单元与紧固到所述光收集单元的光缆之间的紧固长度、根据所述紧固长度来检测所述峰值数据。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述峰值数据根据所述紧固长度而改变。

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，所述紧固长度和所述峰值数据彼此成比例。

14.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，在执行所述处理的情况下，操作员根据所述紧固长度来收集所述峰值数据、并且将所收集的峰值数据记录为标准化数据。

15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，在执行所述处理的情况下改变所述峰值数据，并且

所述操作者基于所述标准化数据来改变所述紧固长度、以将在执行所述处理的情况下改变的所述峰值数据校准为正常状态下的正常峰值数据。