[发明专利]一种IGBT关断电压尖峰抑制电路及相关设备

权利要求书

1.一种IGBT关断电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述电路包括：信号处理模块，电阻模块，绝缘栅双极型晶体管IGBT以及电压比较模块；

所述信号处理模块、所述电阻模块、所述绝缘栅双极型晶体管IGBT以及所述电压比较模块串联；

所述信号处理模块，用于基于获取到的关断信号，控制所述电阻模块接入所述IGBT关断电压尖峰抑制电路的阻抗；所述关断信号包括第一关断信号、第二关断信号以及第三关断信号；当获取到所述第二关断信号时，所述信号处理模块开始进行计时，当所述计时的时长等于预设时长时，触发所述第三关断信号；所述预设时长大于或等于所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的关断过程中电压尖峰持续时长；

所述电压比较模块，用于比较所述绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极与集电极间的电压与预设参考电压的大小，若所述绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极与集电极间的电压大于所述预设参考电压，则向所述信号处理模块输入触发信号；所述触发信号用于触发所述第二关断信号；

所述电阻模块，包括：第一电阻单元和第二电阻单元；所述第一电阻单元的第一端和所述第二电阻单元的第一端连接所述信号处理模块，所述第一电阻单元的第二端和所述第二电阻单元的第二端连接所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极；

所述第一电阻单元，用于当所述信号处理模块接收到所述第一关断信号或所述第三关断信号时，响应于所述信号处理模块的控制接入所述IGBT关断电压尖峰抑制电路；

所述第二电阻单元，用于当所述信号处理模块接收到所述第二关断信号或所述第三关断信号时，响应于所述信号处理模块的控制接入所述IGBT关断电压尖峰抑制电路；

所述第一电阻单元提供的阻抗小于所述第二电阻单元提供的阻抗。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻单元，包括：第一电阻和第一开关；

所述第一开关的第一端连接所述信号处理模块的第一端，所述第一开关的第二端连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二电阻单元，包括：第二电阻和第二开关；

所述第二开关的第一端连接所述信号处理模块的第二端，所述第二开关的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压比较模块，包括：电压比较器、电压源和保护单元；

所述电压比较器的第一输入端连接所述电压源的第一端，所述电压源的第二端接地，所述电压比较器的第二输入端连接所述保护单元的第一端，所述保护单元的第二端连接所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极；

所述保护单元，用于保护所述电压比较器；

所述电压源，用于提供预设参考电压；

所述电压比较器，用于比较所述绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极与集电极间的电压与所述预设参考电压的大小，若所述绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极与集电极间的电压大于所述预设参考电压，则向所述信号处理模块输入触发信号；所述触发信号用于触发所述第二关断信号。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述保护单元，包括：电流源和二极管；

所述二极管的正极连接所述电压比较器的第一输入端，所述二极管的负极连接所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极，所述电流源连接所述二极管的正极。

6.一种变频器，其特征在于，所述变频器包括所述权利要求1至5中任一项所述的IGBT关断电压尖峰抑制电路。