[发明专利]一种垂直型CMOS电路结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202211599448.0 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116013858A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 常玉春;程禹;申人升;娄珊珊;钟国强;曲杨;潘冲 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 王海波 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 cmos 电路 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直型CMOS电路结构的制作方法，其特征在于，步骤如下：
(1)在P型掺杂衬底上制作NMOS器件；
(2)在N型掺杂衬底上制作PMOS器件；
(3)分别制作与PMOS、NMOS中源、漏、栅相连接的金属接触点；
(4)利用键合设备对两片晶圆进行键合；
(5)对键合后晶圆进行减薄，并完成后续工艺。
2.根据权利要求1所述的一种垂直型CMOS电路结构的制作方法，其特征在于，键合时，1个NMOS器件与多个PMOS器件形成垂直型CMOS结构，或者1个PMOS器件与两个以上NMOS器件形成垂直型CMOS结构。
3.权利要求1或2任一一种制作方法得到的垂直型CMOS电路结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211599448.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和晶圆表面沉积层的处理方法
- 下一篇：阵列基板和显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
