[发明专利]一种适形化兼具光学电性调整保护之拉伸封装结构设计

说明书

本发明提供一种微发光二极管显示器，藉由于习知的微发光二极管显示器中，进一步增加导电材料层，或于封装层中添加至少一功能性材料，藉以达到抗静电的功效。本发明提供的微发光二极管显示器解决一般微发光二极管显示器容易受到静电击穿造成组件损伤的问题。

技术领域

本发明关于显示器领域，特别关于一种微发光二极管显示器。

背景技术

一般微发光二极管显示器的制造流程中，微发光二极管显示器会面临静电损害的问题。由于微发光二极管显示器于制备过程中，以及后续进行出/入料运送、机械手臂移动、雷射切割、滚轮传输、保护膜剥离及贴合等程序会造成电荷累积，当电荷累积达到临界值时，便会造成介电崩溃而产生静电放电，对微发光二极管显示器造成损害而导致功能异常。举例，于一般微发光二极管显示器的制备过程中，由于支撑层一般为塑料类的膜材，因此支撑层容易累积电荷，而柔性薄膜晶体管阵列模块受到支撑层的累积静止电荷的影响，导致柔性薄膜晶体管阵列模块中的薄膜晶体管的闸极需要更大的正电压，才能将薄膜晶体管关闭，因此于Id-Vg特性曲线中会观察到临界电压(Vth)严重偏移，影响薄膜晶体管的开关功能。若支撑层电荷累积达到临界值产生静电放电，甚至会导致薄膜晶体管受损，导致薄膜晶体管的开关功能失效。另外，微发光二极管显示器的封装层的表面也容易出现电荷累积，也是造成静电放电损害微发光二极管显示器的主要原因之一。当封装层的表面产生电荷累积，便会使灰尘被吸附在封装层的表面，当电荷累积达到临界值时，便会造成介电崩溃而产生静电放电，对微发光二极管显示器造成损害而导致功能异常。

因此如何防止微发光二极管显示器的电荷累积，避免电荷累积造成微发光二极管显示器的损害而导致功能异常，是目前有待解决的问题。

发明内容

本发明的一目的在于解决微发光二极管显示器的电荷累积，导致微发光二极管显示器的损害而导致功能异常的问题。

基于本发明的目的，本发明提供一种微发光二极管显示器，包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层；其中光学胶层设置于支撑层的上表面，柔性基板设置于光学胶层的上表面，柔性薄膜晶体管阵列模块设置于柔性基板的上表面，封装层覆盖柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面，其特征在于，进一步包括至少一个导电材料层设置于远离柔性薄膜晶体管阵列模块的一侧。

于本发明的一实施例中，当导电材料层为1个，且导电材料层设置于光学胶层和柔性基板之间时，导电材料层的薄层电阻(sheet resistance)为10～10⁶Ω/□。

于本发明的一实施例中，当导电材料层为1个，且导电材料层设置于支撑层和光学胶层之间时，导电材料层的薄层电阻为10～10⁶Ω/□。

于本发明的一实施例中，当导电材料层为1个，且导电材料层设置于支撑层的部分上表面时，导电材料层的薄层电阻为10⁶～10¹²Ω/□。

于本发明的一实施例中，当导电材料层为2个，包括第一导电材料层及第二导电材料层，其中第一导电材料层设置于支撑层的下表面，其中第二导电材料层设置于支撑层和光学胶层之间时，第一导电材料层及第二导电材料层的薄层电阻皆为10⁶～10¹²Ω/□。

于本发明的一实施例中，所述的导电材料层的材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌(Aluminum-doped zinc oxide,AZO)、掺氟氧化锡(Fluorine-doped tin oxide,FTO)、纳米银线、纳米碳管、导电聚合物或其组合，其中导电聚合物可为聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)polystyrene sulfonate,PEDOT:PSS)。