[发明专利]一种适形化兼具光学电性调整保护之拉伸封装结构设计在审
申请号: | 202211590339.2 | 申请日: | 2022-12-12 |
公开(公告)号: | CN115881720A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 范佳铭;赖玟佑;周贤颖;陈伯纶;陈俊达;林柏青 | 申请(专利权)人: | 英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12;H01L23/31 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 芶雅灵 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适形化 兼具 光学 调整 保护 拉伸 封装 结构设计 | ||
1.一种微发光二极管显示器,包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层;其中所述光学胶层设置于所述支撑层的上表面,所述柔性基板设置于所述光学胶层的上表面,所述柔性薄膜晶体管阵列模块设置于所述柔性基板的上表面,所述封装层覆盖所述柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面,其特征在于,包括至少一个导电材料层设置于远离所述柔性薄膜晶体管阵列模块的一侧。
2.如权利要求1所述的微发光二极管显示器,其特征在于,当所述导电材料层为1个,且所述导电材料层设置于所述光学胶层和所述柔性基板之间时,所述导电材料层的薄层电阻为10~106Ω/□。
3.如权利要求1所述的微发光二极管显示器,其特征在于,当所述导电材料层为1个,且所述导电材料层设置于所述支撑层和所述光学胶层之间时,所述导电材料层的薄层电阻为10~106Ω/□。
4.如权利要求1所述的微发光二极管显示器,其特征在于,当所述导电材料层为1个,且所述导电材料层设置于所述支撑层的部分上表面时,所述导电材料层的薄层电阻为106~1012Ω/□。
5.如权利要求1所述的微发光二极管显示器,其特征在于,当所述导电材料层为2个时,包括第一导电材料层及第二导电材料层,其中所述第一导电材料层设置于所述支撑层的下表面,其中所述第二导电材料层设置于所述支撑层和所述光学胶层之间,所述第一导电材料层及所述第二导电材料层的薄层电阻皆为106~1012Ω/□。
6.如权利要求1所述的微发光二极管显示器,其特征在于,所述导电材料层的材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、纳米银线、纳米碳管、导电聚合物或其组合,其中所述导电聚合物为聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐。
7.一种微发光二极管显示器,包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层;其中所述光学胶层设置于所述支撑层的上表面,所述柔性基板设置于所述光学胶层的上表面,所述柔性薄膜晶体管阵列模块设置于所述柔性基板的上表面,所述封装层覆盖所述柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面,其特征在于,所述封装层包括封装材料及至少一功能性材料,其中所述功能性材料为导电材料、抗静电材料、高介电材料或其组合材料。
8.如权利要求7所述的微发光二极管显示器,其特征在于,当所述功能性材料为所述导电材料、所述高介电材料或其组合材料时,所述功能性材料为颗粒状,且所述功能性材料的粒径介于1~1,000纳米之间。
9.如权利要求7所述的微发光二极管显示器,其特征在于,当所述功能性材料为所述导电材料、所述高介电材料或其组合材料时,所述功能性材料的折射率大于2。
10.如权利要求7所述的微发光二极管显示器,其特征在于,所述封装层为单层结构,所述封装层的材料包括所述封装材料及所述功能性材料,且所述封装层的表面电阻为104~1011Ω。
11.如权利要求10所述的微发光二极管显示器,其特征在于,所述封装层中包括有0.01~10wt%的所述功能性材料。
12.如权利要求10所述的微发光二极管显示器,其特征在于,所述封装层的折射率介于1.6~2.0之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的