[发明专利]一种薄膜固化方法在审
| 申请号: | 202211563399.5 | 申请日: | 2022-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN115747761A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
| 发明(设计)人: | 吕秋雨;薛国标 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
| 地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 固化 方法 | ||
1.一种薄膜固化方法,其特征在于,所述方法包括:
向腔体内通入氧源,用以对硅氮聚合物薄膜中的硅氮键进行替换;
将水蒸气通入远程等离子源;
所述远程等离子源将水蒸气解离为羟基自由基和氧自由基;
将解离出的羟基自由基和氧自由基通入所述腔体;
所述羟基自由基与所述氧自由基协助所述氧源对所述硅氮聚合物薄膜进行固化。
2.如权利要求1所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述羟基自由基与氧自由基协助所述氧源对所述硅氮聚合物薄膜进行固化的步骤包括:
利用所述羟基自由基饱和硅氮聚合物薄膜中的悬挂键并疏散所述硅氮聚合物薄膜,使得所述氧源更好地进入所述硅氮聚合物薄膜中。
3.如权利要求1所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述氧源包括臭氧、一氧化氮、过氧化氢、氧气中的一者或多者。
4.如权利要求1所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述硅氮聚合物薄膜由硅氮化合物与氢氮化物反应形成。
5.如权利要求4所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述硅氮化合物为三甲硅烷基胺。
6.如权利要求4所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述氢氮化物为氨气。
7.如权利要求1所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述远程等离子源通过输气管道与所述腔体耦接,所述腔体的温度为50-200℃,压力为5-650Torr。
8.如权利要求7所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述羟基自由基和所述氧自由基通过所述输气管道通入所述腔体。
9.如权利要求1所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述腔体位于流体化学气相沉积设备中。
10.如权利要求9所述的薄膜固化方法,其特征在于,所述薄膜固化方法应用于流体化学气相沉积设备。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





