[发明专利]用于形成FET器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成场效应晶体管器件(100；200)的方法，所述方法包括：

形成鳍结构(1010；2010)，所述鳍结构包括层堆叠，所述层堆叠包括沟道层(1004；2004)和与所述沟道层(1003；2004)交替的非沟道层(1022、1006；2022)，所述鳍结构(1010；2020)包括第一鳍部(1010s；2010s)、第二鳍部(1010d；2010d)和位于所述第一鳍部和第二鳍部之间的第三鳍部(1010c；2010c)；

从所述鳍结构(1010；2010)的第一和第二相对侧(1010a、1010b；2010a、2010b)的每一者横向地蚀刻所述第一鳍部和第二鳍部(1010s、1010d；2010s、2010d)中的每一者，使得在所述层堆叠的第一组层中形成延伸穿过所述第一鳍部的一组源极腔(1048；2048)，并且使得在所述层堆叠的所述第一组层中形成延伸穿过所述第二鳍部的一组漏极腔(1048；2048)；

用虚设材料(1049)填充所述源极腔和所述漏极腔(1048；2048)；

在从所述第二侧(1010b；2010b)掩蔽所述鳍结构的同时：

-通过从所述第一侧(1010a；2010a)进行蚀刻来从所述源极腔和所述漏极腔去除所述虚设材料，以及

-随后，形成源极主体和漏极主体(1120s、1120d；2120s、2120d)，每一者包括沿所述第一侧(1010a；2010a)的相应公共主体部分(1122)和分别从所述相应公共主体部突出进入所述源极腔和所述漏极腔中并邻接所述沟道层(1004；2004)的一组叉齿(1124)；以及

在从所述第一侧(1010a；2010a)掩蔽所述鳍结构的同时：

-从所述第二侧(1010b；2010b)横向地蚀刻所述第三鳍部(1010c；2010c)，使得在所述层堆叠的第二组层中形成延伸穿过所述第三鳍部的一组栅极腔(1060；2060)，所述第二组层不同于所述第一组层，以及

-随后，形成栅极主体(1140；2140)，所述栅极主体包括沿所述第二侧的公共栅极主体部分(1142；2142)和从所述公共栅极主体部分突出进入所述栅极腔(1160；2160)中的一组栅极叉齿(1144；2144)。

2.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道层(1004)是沟道材料的，并且所述非沟道层是交替的第一层材料的第一非沟道层(1022)和第二层材料的第二非沟道层(1006)，以及

其中所述蚀刻所述第一鳍部(1010s)和所述第二鳍部(1010d)以形成所述源极腔和漏极腔(1048)包括选择性地蚀刻所述第一层材料，以及

其中所述蚀刻所述第三鳍部(1010c)以形成所述栅极腔(1060)包括选择性地蚀刻所述第二层材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一层材料是第一介电材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述鳍结构(1010)包括：

形成初步鳍结构(1010)，所述初步鳍结构包括所述沟道层(1004)和与所述沟道层(1004)交替的非沟道层，所述非沟道层是交替的牺牲半导体材料的牺牲层(1002)和所述第二层材料的第二非沟道层；

形成与所述初步鳍结构(1010)邻接的支撑结构(1014)；以及

在所述支撑结构支撑所述初步鳍结构的同时，将所述牺牲层(1002)替换成所述第一非沟道层(1022)。

5.根据权利要求2-4中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括，在形成所述源极腔和漏极腔(1048)之前：

从所述第一和第二侧(1010a、1010b)中的每一者横向地蚀刻所述第一鳍部和第二鳍部(1010s、1010d)中的每一者，使得在所述第二非沟道层(1006)中形成延伸穿过所述第一鳍部和第二鳍部的一组腔(1032)，以及

用第二介电材料填充所述腔(1032)以在所述腔(103)中形成第二介电层(1034)。