[发明专利]一种LT晶体及其生长方法在审
| 申请号： | 202211536160.9 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN115852475A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;田雪雅;王陆洲 | 申请（专利权）人： | 合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/10;C30B29/22 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 韩立峰 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lt 晶体 及其 生长 方法 | ||
1.一种LT晶体的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：将LiCO3和Ta2O5烘干，混合，转移至铂金坩埚(6)中并置于高温烧结炉中，按照80-100℃/min的速率升温至800℃，保温2h，然后按照100-150℃/min的速率升温至1300℃，保温6-8h，得到多晶料；
步骤二：将多晶料转移至铂金坩埚(6)中并置入提拉法晶体生长炉中，按照100-150℃/min的速率升温至1690-1710℃，多晶料完全熔化后保温1-2h，得到熔体；
步骤三：按照2-5℃/min的速率将熔体降温至1651℃±1℃，通过籽晶杆(44)接种籽晶(5)，在3mm/h的提拉速度和5-10r/min的籽晶杆(44)旋转速度下使晶体提拉生长，再通过缩颈、放肩、等径、收尾、脱离、冷却、退火和极化工序后得到LT晶体。
2.根据权利要求1所述的一种LT晶体的生长方法，其特征在于，步骤三中所述退火的条件为：1325±25℃，保温4-6h。
3.根据权利要求1所述的一种LT晶体的生长方法，其特征在于，步骤三中所述极化工序的具体方法如下：
将退火后的晶体两端切平并接上电极，然后将晶体转移至氧化铝陶瓷管中，用多晶料掩埋晶体后置于极化炉中，按照100-200℃/min的速率升温至700±5℃，保温6-8h后在0.5mA/cm2的电流密度下将晶体极化30-45min，然后按照1℃/min的速度降至室温，完成极化工序。
4.根据权利要求1所述的一种LT晶体的生长方法，其特征在于，LiCO3和Ta2O5的纯度为99.99％。
5.根据权利要求1所述的一种LT晶体的生长方法，其特征在于，步骤一中所述混合的方法为：将烘干后的LiCO3和Ta2O5转移至球磨机中，在100-150r/min的条件下球磨4-5h。
6.一种LT晶体，其特征在于，由权利要求1-5任意一项所述生长方法制得。
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