[发明专利]微型发光二极管显示设备与其制造方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管显示设备，包括：

线路基板，具有上表面；

像素结构层，设置于该线路基板的该上表面，该像素结构层具有彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元，所述微型发光二极管单元面向该上表面，并分别与该线路基板电性连接；其中该像素结构层还具有侧面；

支撑结构，设置于该线路基板的该上表面，并由该上表面往该像素结构层延伸且与该像素结构层的该侧面连接，且该支撑结构突出于该像素结构层远离该线路基板的表面，并与该像素结构层的该表面形成容置空间；

连接层，设置于该容置空间；以及

保护层，设置于该连接层上。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，其中，该线路基板还具有显示区及非显示区，该非显示区位于该显示区的外围，且该支撑结构配置于该非显示区。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，还包括：

填充层，设置于该像素结构层与该线路基板的该上表面之间。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管显示设备，其中，该支撑结构与该填充层为一体成型。

5.根据权利要求3所述的微型发光二极管显示设备，其中，该填充层具有空隙。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，其中，该保护层配置于该支撑结构及该连接层上，且该保护层于该线路基板的投影位于该连接层及该支撑结构于该线路基板的投影内。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，其中，该支撑结构突出于该像素结构层的该表面而形成挡墙，该挡墙为阶梯状，并至少包含第一阶及第二阶，该第一阶环设于该连接层的外围，且该第二阶位于该第一阶上，并环设于该保护层的外围。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，其中，该保护层及该连接层位于该容置空间内。

9.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，其中，该保护层于该线路基板的投影面积小于或等于该连接层于该线路基板的投影面积。

10.根据权利要求9所述的微型发光二极管显示设备，其中，该连接层的一部分还位于该支撑结构与该保护层的侧面之间。

11.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示设备，其中，该保护层的杨氏模量大于该支撑结构；该保护层的杨氏模量大于该连接层。

12.一种微型发光二极管显示设备的制造方法，包括：

提供线路基板及暂时基板，其中该线路基板具有上表面，该暂时基板包括载板、接合层与像素结构层，该像素结构层通过该接合层设置于该载板，且该像素结构层具有彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元；

使该像素结构层的所述微型发光二极管单元面向该上表面，并分别与该线路基板电性连接；

形成支撑结构于该线路基板的该上表面，并由该上表面往该像素结构层的侧面延伸，并使该支撑结构与该像素结构层、该接合层及该载板连接；

移除该载板及该接合层以曝露出该像素结构层的表面，其中该支撑结构突出于该像素结构层远离该线路基板的该表面，且与该像素结构层的该表面形成容置空间；

形成连接层于该容置空间；以及

设置保护层于该连接层上，使该保护层通过该连接层与该像素结构层连接。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在形成该支撑结构于该线路基板的该表面的步骤中，还包括：

该支撑结构的材料进一步填充于该像素结构层与该线路基板之间。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在形成该连接层于该容置空间之前，还包括：

通过蚀刻制程减薄该像素结构层的厚度，并减少该支撑结构突出于该像素结构层的该表面的挡墙的高度。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，该支撑结构的蚀刻率与该像素结构层不同。