[发明专利]存储器件及其制造方法

说明书

本公开涉及存储器件及其制造方法。在实施例中，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第二方向上与存储单元阵列相邻。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0164383和于2022年3月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2022-0028804的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种存储器件及其制造方法。

背景技术

从生产线分发的存储器件可以通过各种运输方式交付给用户。当存储器件出口到国外时，可能使用诸如船舶或飞行器之类的运输工具。飞行器成本高，但支持快速运输。然而，在通过飞行器运输存储器件的情况下，取决于飞行器的路线和高度，存储器件可能受到辐射的影响，并且可能由于辐射而出现产品缺陷。

发明内容

本公开的一个方面提供了一种存储器件，该存储器件包括能够通过屏蔽存储器元件来抑制存储器元件出现缺陷的结构，否则，该存储器元件可能由于辐射的影响而变得有缺陷。

本公开的另一方面提供一种制造存储器件的方法，该方法能够形成用于屏蔽存储器元件的结构而无需单独附加工艺。

根据本公开的一方面，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区并沿着相对于基板的表面的竖直方向延伸的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在与第一方向相交的第二方向上与存储单元阵列相邻。第一方向和第二方向平行于基板的表面。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。

根据本公开的另一方面，一种存储器件包括基板、多个单元电容器、多个第一虚设电容器、以及多个第二虚设电容器。基板包括第一区和第二区，其中第一区具有字线和位线。第二区围绕第一区。多个单元电容器从第一区沿着相对于基板的表面的竖直方向延伸。多个单元电容器中的每个单元电容器连接到字线中的一个和位线中的一个。多个第一虚设电容器从第二区沿着竖直方向和字线所延伸的第一方向延伸。多个第一虚设电容器在与基板的表面平行的第二方向上与第一区相邻。多个第二虚设电容器从第二区沿着竖直方向和位线所延伸的第二方向延伸。多个第二虚设电容器在第一方向上与第一区相邻。

根据本公开的另一方面，一种制造存储器件的方法包括在基板的第一区中形成器件分离层，该基板包括第一区和围绕第一区的第二区。该方法还包括在基板上的第一区中形成多个栅极结构。该方法还包括在多个栅极结构中的彼此相邻的栅极结构的对之间形成连接到基板的第一接触部。该方法还包括：当形成第一接触部时，在第一区中形成连接到第一接触部的位线结构。该方法还包括在第一区中形成连接到基板的第二接触部。该方法还包括在第二区中形成连接到基板的第三接触部。该方法还包括在第一区中形成连接到第二接触部的多个单元电容器。该方法还包括在第二区中形成连接到第三接触部的多个虚设电容器，其中，多个单元电容器和多个虚设电容器是同时形成的，并且其中，第二接触部和第三接触部是同时形成的。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：

图1和图2是示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的图；