[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储单元阵列，包括形成在基板上的栅极结构、与所述栅极结构相邻的第一有源区、设置在所述栅极结构与所述第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到所述第一有源区并沿着相对于所述基板的表面的竖直方向延伸的单元电容器；

第一虚设电容器和第二虚设电容器，沿着第一方向和所述竖直方向延伸，并且被设置为在与所述第一方向相交的第二方向上与所述存储单元阵列相邻，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的所述表面；以及

第三虚设电容器，沿着所述第二方向和所述竖直方向延伸，并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列相邻，

其中，所述存储单元阵列设置在所述第一虚设电容器与所述第二虚设电容器之间。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述栅极结构嵌入在所述基板中。

3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

第四虚设电容器，沿着所述第二方向和所述竖直方向延伸，并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列相邻；以及

一个或多个上接触部，在所述竖直方向上与所述第一虚设电容器、所述第二虚设电容器和所述第三虚设电容器重叠，

其中，所述存储单元阵列设置在所述第三虚设电容器与所述第四虚设电容器之间。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，

所述单元电容器包括沿着所述竖直方向延伸的第一下电极层、围绕所述第一下电极层的第一介电层、以及覆盖所述第一介电层的第一上电极层，并且

其中，所述第一虚设电容器、所述第二虚设电容器、所述第三虚设电容器和所述第四虚设电容器中的每一个包括沿着所述竖直方向延伸的第二下电极层、围绕所述第二下电极层的第二介电层、以及覆盖所述第二介电层的第二上电极层。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述一个或多个上接触部穿过所述第二上电极层。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述一个或多个上接触部还穿过所述第二介电层。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述一个或多个上接触部和所述第二下电极层由相同的材料形成。

8.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述存储器件还包括上导电层，所述上导电层与所述一个或多个上接触部接触，并被设置为覆盖所述单元电容器的上表面。

9.根据权利要求4所述的存储器件，其中，

所述基板还包括围绕所述存储单元阵列的第二有源区，并且

其中，所述存储器件还包括将所述第二下电极层连接到所述第二有源区的第一接触部。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中

所述基板还包括围绕所述存储单元阵列的虚设电容器区、以及形成在所述虚设电容器区中的器件分离层，并且

其中，所述存储器件还包括第二接触部，所述第二接触部将形成在所述虚设电容器区中的器件分离层连接到所述第二下电极层。

11.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一下电极层和所述第二下电极层由相同的材料形成。

12.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一下电极层的第一下表面与所述基板的所述表面之间在所述竖直方向上的第一距离与所述第二下电极层的第二下表面与所述基板的所述表面之间在所述竖直方向上的第二距离相匹配。

13.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一下电极层和所述第二下电极层在所述竖直方向上具有相同的长度。