[发明专利]读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，该方法根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域，本申请根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到NorFLASH芯片中正确的配置文件信息。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

在对NorFLASH芯片进行上电时需要读取芯片内的配置文件信息，而在读取过程中由于电压、温度等外界因素的干扰，导致读取的配置文件信息出错，会导致芯片在正常流程下无法正确读取flash memory数据，让用户误认为芯片有问题。

现有的解决上述问题的方式一般为在配置内容区域放置校验码，若读取校验码错误则进行重复多次读取，若多次读取错误则判定该芯片损坏，此方式容易使用户误将没问题的芯片当做坏芯片处理。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，旨在解决用户需频繁改变读取条件，花费较多时间才能读取正确的配置文件信息的问题。

第一方面，本申请提供了一种读取芯片配置文件信息的方法，用于读取NorFLASH芯片内的配置文件信息，该方法包括以下步骤:

S100、根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；

S200、根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域。

在本申请中，在配置区域内设置校验码信息，该校验码信息对应能正确读出配置区域内的配置文件信息的上电读取电压，当用户读取配置区域内的校验码信息和配置文件信息时，会生成易失校验码信息和易失配置文件信息，根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到正确的配置文件信息，通过本申请提出的读取方法能快速调节到正确的上电读取电压，从而快速读取到NorFLASH芯片中正确的配置信息文件。

可选地，本申请提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，当易失配置文件信息与配置文件信息一致时，易失校验码信息中的0和1的数量相等。

本申请中，优选地，当校验码信息中0和1数量相等时，即可读出正确的配置文件信息。

可选地，本申请提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤包括：

S210、若易失配置文件信息与配置文件信息一致时，易失校验码信息中的0和1的数量相等，则当易失校验码信息中0的数量多于1的数量时，增大上电读取电压，当易失校验码信息中0的数量小于1的数量时，减小上电读取电压。

本申请中，可以通过对易失校验码信息中的0和1的数量进行比较，判断增大或减小上电读取电压。

可选地，本申请提出的一种读取芯片配置文件信息的方法，根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压的步骤包括：

S220、计算易失校验码信息中0和1的数量差值；

S221、根据数量差值调节上电读取电压。