[发明专利]读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种读取芯片配置文件信息的方法，用于读取NorFLASH芯片内的配置文件信息，其特征在于，NorFLASH芯片中预设有多个用于调节上电读取电压的档位，所述方法包括以下步骤:

S100、根据上电读取电压读取所述芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，所述校验码信息为二进制数据，所述配置区域中设有多个间隔设置的所述校验码信息，不同所述校验码信息对应的存储单元具有不同的阈值电压；

S200、根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取所述芯片的所述配置区域，根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压的步骤包括：获取易失校验码信息中0或1的数量，并与预设的0或1的数量的标准值进行对比，根据差值的大小将所述上电读取电压调整至对应的所述档位。

2.根据权利要求1所述的一种读取芯片配置文件信息的方法，其特征在于，当所述易失配置文件信息与所述配置文件信息一致时，所述易失校验码信息中的0和1的数量相等。

3.一种读取芯片配置文件信息的装置，其特征在于，NorFLASH芯片中预设有多个用于调节上电读取电压的档位，所述读取芯片配置文件信息的装置包括：

读取生成模块（100），用于根据上电读取电压读取所述芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，所述校验码信息为二进制数据，所述配置区域中设有多个间隔设置的所述校验码信息，不同所述校验码信息对应的存储单元具有不同的阈值电压；

调节重读模块（200），用于根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取所述芯片的所述配置区域，根据所述易失校验码信息中0和/或1的数量调节所述上电读取电压的步骤包括：获取易失校验码信息中0或1的数量，并与预设的0或1的数量的标准值进行对比，根据差值的大小将所述上电读取电压调整至对应的所述档位。

4.一种电子设备，其特征在于，包括处理器（91）以及存储器（92），所述存储器（92）存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器（91）执行时，运行如权利要求1-2中任一项所述方法中的步骤。

5.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器（91）执行时运行如权利要求1-2中任一项所述方法中的步骤。