[发明专利]太阳能电池的制作方法在审

专利信息
申请号: 202211460255.7 申请日: 2022-11-17
公开(公告)号: CN115799389A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 钱明明;宋楠;何秋霞;俞超 申请(专利权)人: 环晟光伏(江苏)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/04
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 苏蕾
地址: 214200 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制作方法
【说明书】:

本申请实施例提供一种太阳能电池的制作方法,包括:提供基底;对基底进行第一次扩散处理;采用激光对基底进行选择性重掺杂,在基底上形成重掺杂区域;对基底进行制绒处理;对基底进行第二次扩散处理;在基底上形成电极,电极与基底的重掺杂区域之间形成欧姆接触,得到太阳能电池。与现有技术中先进行制绒处理后进行激光重掺杂的工序相比,本申请实施例的太阳能电池的制作方法可以使基底的绒面保持较高的粗糙度,从而提高太阳能电池对光线的吸收率,进而提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池的制作方法。

背景技术

太阳能是一种清洁的可再生的能源,取之不尽用之不竭,是最有可能替代常规化石燃料的能源。光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。

重掺杂技术(SE技术)利用了激光掺杂具有选择性熔融和扩散的特点,在硅基太阳能电池中制备选择性发射极结构,通过重掺杂技(SE技术)所制得的SE电池结构中,在光吸收区实行轻掺杂,这样减少表面少子俄歇复合,短波光谱响应好;在金属接触区实行重掺杂,以使金属电极和电池发射区之间形成良好的欧姆接触,其短路电流、开路电压、填充因子和转化效率都较高。

现有的SE太阳能电池的生产流程通常为:首先对硅基底进行制绒处理以形成绒面,之后对制绒处理后的硅基底进行扩散处理,然后采用激光对扩散处理后的硅基底进行重掺杂,然而,这一生产流程存在如下问题:由于制绒处理在激光重掺杂之前,因此,在激光重掺杂的过程中,硅基底表面经由制绒处理形成的绒面会被激光损伤,导致绒面的粗糙度降低,从而使得太阳能电池对光线的吸收率降低,进而导致太阳能电池的光电转换效率降低。

发明内容

本申请实施例提供一种太阳能电池的制作方法,可以使基底的绒面保持较高的粗糙度,从而提高太阳能电池对光线的吸收率,进而提高太阳能电池的光电转换效率。

本申请实施例提供一种太阳能电池的制作方法,包括:

提供基底;

对所述基底进行第一次扩散处理;

采用激光对所述基底进行选择性重掺杂,在所述基底上形成重掺杂区域;

对所述基底进行制绒处理;

对所述基底进行第二次扩散处理;

在所述基底上形成电极,所述电极与所述基底的重掺杂区域之间形成欧姆接触,得到太阳能电池。

在一些实施例中,所述基底为P型硅基底,采用N型掺杂元素对所述基底进行第一次扩散处理以及对所述基底进行第二次扩散处理。

在一些实施例中,所述N型掺杂元素包括磷,在对所述基底进行第一次扩散处理时,所述基底的表面形成磷硅玻璃层;

在对所述基底进行制绒处理之前,去除位于所述基底表面的磷硅玻璃层。

在一些实施例中,所述去除位于所述基底表面的磷硅玻璃层包括:将所述基底浸泡于酸溶液中,以使磷硅玻璃层溶解;

所述酸溶液包括HF溶液;

所述HF溶液的质量分数为3wt%~10wt%。

在一些实施例中,所述基底为N型硅基底,采用P型掺杂元素对所述基底进行第一次扩散处理以及对所述基底进行第二次扩散处理。

在一些实施例中,所述P型掺杂元素包括硼,在对所述基底进行第一次扩散处理时,所述基底的表面形成硼硅玻璃层;

在对所述基底进行制绒处理之前,去除位于所述基底表面的硼硅玻璃层。

在一些实施例中,在对所述基底进行第一次扩散处理之前,所述太阳能电池的制作方法还包括:对所述基底进行抛光处理。

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