[发明专利]一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法

说明书

本发明实施例公开了一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法，所述监测系统包括：数据获取单元，用于获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；判定单元，用于将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，报警单元，用于当所述判定单元判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。

技术领域

本发明涉及硅片生产领域，尤其涉及一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法。

背景技术

对于比如用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片而言，主要通过将直拉法(Czochralski)拉制的单晶硅棒切片而制造出。Czochralski法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在固液界面处生长出单晶硅棒。

在拉晶过程中，晶棒的外周表面会形成在径向上凸出并且沿着轴向延伸的晶线，比如沿晶向100生长的晶棒会生成4条隆起的晶线。通常晶线从微观上来看的话是硅晶体的一个晶面，晶线的存在表明晶体内部是以单晶形式在生长，当晶线消失说明晶体的晶面发生了偏转，产生了不同方向的晶体，内部必然已经以多晶的形式在生长，由此，晶线断开可以用来表征晶棒从单晶方式生长转变为了多晶方式生长，这一现象也称之为晶棒断线。

目前，晶线连续性判断是由操作员根据自身经验结合炉内情况进行综合判断的，该判断依赖工作经验且需要长时间多次确认才能做出最终决定，具有滞后性，比如当实际生长的晶线已经与满足要求的正常晶线不相符，或者说已经表征出正被拉制的晶棒已经不满足品质要求时，无法及时得到确认，甚至会出现晶线已经断开都没有察觉到晶线的生长出现了异常的情况，另外操作员主观判断具有不确定性，无法准确判断晶棒是否发生断线。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法，能够克服因依靠工作人员完成判断所带来的各种问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种用于监测晶线的生长的监测系统，所述监测系统包括：

数据获取单元，用于获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；

判定单元，用于将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，

报警单元，用于当所述判定单元判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。

第二方面，本发明实施例提供了一种用于监测晶线的生长的监测方法，所述监测方法包括：

获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；

将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，

当判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。