[发明专利]一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法

权利要求书

1.一种用于监测晶线的生长的监测系统，其特征在于，所述监测系统包括：

数据获取单元，用于获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；

判定单元，用于将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，

报警单元，用于当所述判定单元判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。

2.根据权利要求1所述的监测系统，其特征在于，所述实时状态信息为实时宽度值，并且所述正常状态信息为正常宽度值。

3.根据权利要求2所述的监测系统，其特征在于，所述判定单元还用于将每一时刻获取到的实时宽度值与前一时刻获取到的实时宽度值进行对比，并且当所述实时宽度值在设定的时间段内持续减小时判定所述晶线有断开的趋势，所述报警单元还用于当所述判定单元判定出所述晶线有断开的趋势时发出晶线断开预警，以对拉晶参数进行调整。

4.根据权利要求3所述的监测系统，其特征在于，所述判定单元还用于当所述实时宽度值等于零时判定所述晶线已经断开，所述报警单元还用于当所述判定单元判定出所述晶线已经断开时发出晶线断开警报，以对所述晶棒执行回熔或提断的操作。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的监测系统，其特征在于，所述晶棒为用于生产300mm硅片的COP Free晶棒，并且所述正常宽度值介于0.5mm至1.5mm之间，或者所述晶棒为用于生产300mm硅片的EPI轻掺晶棒，并且所述正常宽度值介于1.5mm至2.3mm之间，或者所述晶棒为用于生产300mm硅片的EPI重掺晶棒，并且所述正常宽度值介于2.3mm至3mm之间。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的监测系统，其特征在于，所述数据获取单元还包括拍摄器和图像放大器，所述拍摄器用于拍摄真实图像，所述图像放大器用于将所述真实图像进行放大以获得所述实时宽度值。

7.根据权利要求6所述的监测系统，其特征在于，所述拍摄器为CCD相机。

8.一种用于监测晶线的生长的监测方法，其特征在于，所述监测方法包括：

获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；

将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，

当判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。

9.根据权利要求8所述的监测方法，其特征在于，所述实时状态信息为实时宽度值，所述正常状态信息为正常宽度值，并且所述监测方法还包括：

将每一时刻获取到的实时宽度值与前一时刻获取到的实时宽度值进行对比，并且当所述实时宽度值在设定的时间段内持续减小时判定所述晶线有断开的趋势；

当判定出所述晶线有断开的趋势时发出晶线断开预警，以对拉晶参数进行调整使得晶线断开能够得到避免。

10.根据权利要求9所述的监测方法，其特征在于，所述监测方法还包括：

当所述实时宽度值等于零时判定所述晶线已经断开；

当判定出所述晶线已经断开时发出晶线断开警报，以对所述晶棒执行回熔或提断的操作。