[发明专利]液态化学品喷射组件及包括其的基板处理装置在审
| 申请号: | 202211418626.5 | 申请日: | 2022-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN116266547A | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
| 发明(设计)人: | 申在奫 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液态 化学品 喷射 组件 包括 处理 装置 | ||
一种能够将液态化学品喷射到沿基本水平方向传送的基板上的液态化学品喷射组件可以包括:第一喷嘴,布置在相对于基板的传送方向的上游;以及第二喷嘴,布置在相对于基板的传送方向的下游。第一喷嘴和第二喷嘴可以基本上彼此面对,并且第一喷嘴和第二喷嘴可以以相对于基板的传送方向具有基本相同的绝对值的倾斜角倾斜。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月17日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0181691号韩国专利申请的优先权。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种液态化学品喷射组件和包括液态化学品喷射组件的基板处理装置。更具体地,本发明的示例性实施例涉及一种用于将包含清洗溶液的液态化学品喷射到基板上的液态化学品喷射组件,以及一种包含该液态化学品喷射组件的基板处理装置。
背景技术
在用于制造集成电路装置(诸如半导体装置和显示装置)的工艺中,通常进行用于将清洗液喷射到基板上的清洗工艺。
在用于清洗残留在基板上的颗粒和/或先前的处理工艺中产生的副产物的清洗工艺中,可以以相对高的喷射压力将清洗液喷射到基板上。在这种情况下,随着用于喷射清洗液的喷射压力增加,基板的清洗效率可以提高。然而,当以相对高的喷射压力将清洗液喷射到基板上时,形成在基板上的包括电路图案的结构可能被损坏。
为了减少对包括电路图案的结构的损坏并提高基板的清洗效率,通常使用两个喷嘴。这里,由喷射到基板上的清洗液所产生的力可能会降低基板的传送速率,从而降低集成电路装置的处理速率。
发明内容
解决的技术问题
为解决上述现有技术中的问题,本发明的一个目的在于提供一种液态化学品喷射组件,其能够使用两个喷嘴将液态化学品喷射到基板上且不会降低基板的传送速率。
本发明的另一个目的在于提供一种基板处理装置,该基板处理装置包括能够使用两个喷嘴将液态化学品喷射到基板上且不会降低基板的传送速率的液态化学品喷射组件。
解决方法
根据本发明的一方面,提供一种能够将液态化学品喷射到沿基本水平方向传送的基板上的液态化学品喷射组件。该液态化学品喷射组件可包括:第一喷嘴,布置在相对于所述基板的传送方向的上游;以及第二喷嘴,布置在相对于所述基板的传送方向的下游。所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以基本上彼此面对,并且所述第一喷嘴和所述第二喷嘴各自以相对于所述基板的传送方向具有基本相同的绝对值的倾斜角倾斜。
在示例性实施例中,所述第一喷嘴可以相对于所述基板的传送方向具有15°至60°的范围内的第一倾斜角,以及所述第二喷嘴可以相对于所述基板的传送方向具有-15°至-60°的范围内的第二倾斜角。
在示例性实施例中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以将所述液态化学品喷射到所述基板的一个区域上。
在一些示例性实施例中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以分别将所述液态化学品喷射到所述基板的相邻的区域上。
在示例性实施例中,所述液态化学品喷射组件还可包括:一个液态化学品供应构件,用于将所述液态化学品供应到所述第一喷嘴和所述第二喷嘴两者;供应管线,连接到所述一个液态化学品供应构件;以及两个分支管线,将所述供应管线连接到所述第一喷嘴和所述第二喷嘴。
在示例性实施例中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以各自在4MPa至15MPa的压力下将所述液态化学品喷射到所述基板上。
在示例性实施例中,所述液态化学品喷射组件还可包括:固定构件,在所述第一喷嘴和所述第二喷嘴将所述液态化学品喷射到所述基板上时,所述固定构件固定所述第一喷嘴的倾斜角和所述第二喷嘴的倾斜角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





