[发明专利]一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法

权利要求书

1.一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供经过静电去除处理后的碳化硅晶片，测算得到所述碳化硅晶片表面的第一接触电势φ_sample；

建立第一接触电势φ_sample对应所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的第一关系式，根据建立的第一关系式和第一接触电势φ_sample的具体值计算得到所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值；

建立所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值对应所述碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的第二关系式，根据第二关系式、导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值得到所述碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的具体值；

建立碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n对应氮浓度N_D的第三关系式，根据第三关系式、所述碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的具体值得到所述碳化硅晶片氮浓度n的具体值。

2.根据权利要求1所述的测算碳化硅晶片氮浓度的方法，其特征在于，

提供经过静电去除处理后的碳化硅晶片，测算得到所述碳化硅晶片表面的第一接触电势φ_sample的步骤具体包括：

提供经过静电去除处理后的碳化硅晶片并提供已知功函数的金标样；

基于显微镜分别对所述碳化硅晶片和所述金标样进行扫描，并测量所述碳化硅晶片表面和所述显微镜的探针之间的第一接触电势差Δφ₁、所述金标样表面和所述显微镜的探针之间的第二接触电势差Δφ₂；

根据所述第一接触电势差Δφ₁、所述第二接触电势差Δφ₂和所述金标样的功函数计算得到所述碳化硅晶片表面的第一接触电势φ_sample。

3.根据权利要求2所述的测算碳化硅晶片氮浓度的方法，其特征在于，根据所述第一接触电势差Δφ₁、所述第二接触电势差Δφ₂和所述金标样的功函数计算所述碳化硅晶片表面的第一接触电势φ_sample的计算过程具体包括：

所述第一接触电势差Δφ₁＝φ_tip-φ_sample，式中，φ_tip表示所述探针表面的电势，φ_sample表示所述碳化硅晶片表面的第一接触电势；

所述第二接触电势差Δφ₂＝φ_tip-φ_metal，式中，φ_tip表示所述探针表面的电势，φ_metal表示所述金标样表面的第二接触电势；

其中，由于Δφ₁、Δφ₂、φ_metal为已知，从而得到所述碳化硅晶片表面的第一接触电势φ_sample＝Δφ₂-Δφ₁+φ_metal。

4.根据权利要求1所述的测算碳化硅晶片氮浓度的方法，其特征在于，建立第一接触电势φ_sample对应所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的第一关系式的步骤具体包括：建立第一接触电势φ_sample对应电子亲和能x1、所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的第一关系式；

其中，所述第一关系式为：φ_sample＝x1+Ec-Ef，式中，Ec-Ef表示所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值，x1表示电子亲和能。