[发明专利]晶片载放台

说明书

本发明提供一种晶片载放台，在不同高度的第一导电层及第二导电层经由导通部而导通的晶片载放台的基础上，使晶片的均热性变得良好。晶片载放台(10)构成为：在具有晶片载放面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，副RF电极(21)(第一导电层)和跳线层(22)(第二导电层)植入于不同的高度，且具备将副RF电极(21)和跳线层(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)为横向放置的线圈或带孔筒状体。

技术领域

本发明涉及晶片载放台。

背景技术

以往，已知有用于处理晶片的晶片载放台。作为晶片载放台，有：陶瓷加热器、静电卡盘、基座(内置有等离子体发生用的电极的基座)等。例如，专利文献1公开了：作为该晶片载放台，在具有晶片载放面的陶瓷基体的内部，自靠近晶片载放面的一方，圆板状的第一电极和外径比第一电极的外径大的环状的第二电极按与晶片载放面平行的方式植入。第一电极和第二电极经由导通部而电导通。专利文献1中，作为导通部，公开了采用了呈之字形弯曲的金属网的例子、将线圈纵向放置的例子等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-163259号公报

发明内容

然而，作为导通部，采用了呈之字形弯曲的金属网、纵向放置的线圈的情况下，导通部的导通路径与第一电极和第二电极之间的距离相比，相当长。若如此，则容易在导通部发热，有时对晶片的均热性带来不良影响。

本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，在不同高度的第一导电层及第二导电层经由导通部而导通的晶片载放台的基础上，使晶片的均热性变得良好。

本发明的晶片载放台构成为：

在具有晶片载放面的陶瓷基体的内部，第一导电层和第二导电层植入于不同的高度，且具备将所述第一导电层和所述第二导电层电导通的导通部，

所述晶片载放台的特征在于，

所述导通部为横向放置的线圈或带孔筒状体。

该晶片载放台中，导通部为横向放置的线圈或带孔筒状体。因此，与作为导通部采用了呈之字形弯曲的金属网或纵向放置的线圈的情形相比，导通部的导通路径接近于第一导电层与第二导电层之间的距离。所以，能够抑制在导通部发热，进而能够使晶片的均热性变得良好。应予说明，作为带孔筒状体，例如可以举出：冲孔金属筒状体、金属网筒状体等。

本发明的晶片载放台中，所述陶瓷基体的材料可以进入于所述导通部的内部空间。据此，陶瓷基体的密度偏差变小，并且，强度提高。

本发明的晶片载放台中，所述导通部的截面形状可以为圆形或椭圆形。据此，即便在制造工序中从导通部的上下施加压缩方向上的力，导通部也能够将该力吸收。

本发明的晶片载放台中，所述导通部可以为线圈，所述第一导电层及所述第二导电层中的至少一者可以具有沿着厚度方向贯通的孔，通过所述线圈进入于所述孔中，可以使得所述孔的内表面和所述线圈的侧面相接触。据此，与线圈和各导电层点接触的情形相比，接触面积增加，因此，容易确保导通。

本发明的晶片载放台中，所述第二导电层可以为俯视与所述第一导电层交叉的线状或长方形状的导电层，所述导通部的轴线可以为沿着所述第二导电层的延伸方向的直线状。据此，能够使导通部的长度比较长，容易确保第一导电层与第二导电层的导通。

本发明的晶片载放台中，所述第二导电层可以为俯视与所述第一导电层重复的环状或扇状的导电层，所述导通部的轴线可以为与所述第二导电层呈同心圆的圆弧状。据此，能够使导通部的长度比较长，容易确保第一导电层与第二导电层的导通。

附图说明

图1是晶片载放台10的平面图。

图2是图1的A-A截面图。