[发明专利]晶片载放台在审
| 申请号： | 202211403176.2 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116264180A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 只木干也;升和宏;横野拓也;山名启太;高野谷怜音;入山暖辉 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 载放台 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片载放台，其中，
在具有晶片载放面的陶瓷基体的内部，第一导电层和第二导电层植入于不同的高度，且具备将所述第一导电层和所述第二导电层电导通的导通部，
所述晶片载放台的特征在于，
所述导通部为横向放置的线圈或带孔筒状体。
2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，
所述陶瓷基体的材料进入于所述导通部的内部空间。
3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述导通部的截面形状为圆形或椭圆形。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，
所述导通部为线圈，
所述第一导电层及所述第二导电层中的至少一者具有沿着厚度方向贯通的孔，通过所述线圈进入于所述孔中而使得所述孔的内表面和所述线圈的侧面相接触。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，
所述第二导电层为俯视与所述第一导电层交叉的线状或长方形状的导电层，
所述导通部的轴线为沿着所述第二导电层的延伸方向的直线状。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，
所述第二导电层为俯视与所述第一导电层重复的环状或扇状的导电层，
所述导通部的轴线为与所述第二导电层呈同心圆的圆弧状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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