[发明专利]一种TFE遮罩免清洗结构及工艺方法

说明书

本发明公开了一种TFE遮罩免清洗结构及工艺方法，涉及薄膜封装技术领域。所述TFE遮罩免清洗结构包括：界面保护层，形成于所述TFE遮罩上方，用于保护TFE遮罩表面的平整性，防止后续制程对TFE遮罩表面的腐蚀和破坏而引起精度偏差；剥离层，形成于所述界面保护层上方，所述剥离层耐高温且化学性能稳定，用于隔绝绝缘，且在激光照射下或在蚀刻液作用下可剥离。本发明提供的一种TFE遮罩免清洗结构及工艺方法，节省了TFE遮罩阳极氧化的工艺，节省大量的制造成本，避免清洗废料对环境的污染。

技术领域

本发明涉及薄膜封装技术领域，特别涉及一种TFE遮罩免清洗结构及工艺方法。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)OLED显示器具备自发光特性，低功耗，宽视角，响应速度快，超轻超薄，抗震性好等特点，采用薄膜封装OLED器件可实现柔性，可折叠，可弯折等特点，该技术被广泛运用于柔性显示领域。

薄膜封装技术(Thin Film Encapsulastion)简称TFE，TFE技术是在TFT基板上，将有机的EL蒸镀后，在上方通过沉积Barrierlayer(隔绝层)和Bufferlayer(平坦层)，依次顺序制备3～5层交错覆盖来隔绝水氧，用来保护有机EL的技术，其中TFE(ThinFilmEncapsulation)封装中Barrier layer(隔绝层)多采用PECVD(化学气相沉积)机台沉积无机薄膜，比如氮化硅，起到阻隔水氧的作用，Bufferlayer(平坦层)多采用IJP(喷墨打印)机台涂布有机薄膜，比如高分子聚合物、树脂等，其作用就是覆盖无机层的缺陷，实现平坦化，可以释放无机层之间的应力，实现柔性封装。

TFE薄膜封装结构制备过程中，采用2～3层无机/有机的叠层结构，PECVD(化学气相沉积)机台每沉积一层无机薄膜，需要一张金属遮罩，用于遮挡无需要沉积薄膜的区域(绑定区)，TFE遮罩常采用铟瓦合金进行制作，由于PECVD(化学气相沉积)多采用RF电源激化反应粒子的活性，所以腔体上下电极多采用陶瓷结构，防止异常放电，因此TFE遮罩表面常沉积一层Al₂O₃进行表面的阳极氧化。

TFE遮罩表面随着沉积时间越长，TFE金属遮罩上积累的无机薄膜也越来越厚，需要人工装卸TFE遮罩并送外定期清洗，清洗费用高，药液清洗的费液影响环境友好型社会的发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种TFE遮罩免清洗结构及工艺方法，通过界面保护层取代阳极氧化层节省了TFE遮罩阳极氧化的工艺，通过剥离层免除TFE金属遮罩清洗的费用，节省大量的制造成本，避免清洗废料对环境的污染。

第一方面，本发明提供了一种TFE遮罩免清洗结构，包括：

界面保护层，形成于所述TFE遮罩上方，用于保护TFE遮罩表面的平整性，防止后续制程对TFE遮罩表面的腐蚀和破坏而引起精度偏差；

剥离层，形成于所述界面保护层上方，所述剥离层耐高温且化学性能稳定，用于隔绝绝缘，且在激光照射下或在蚀刻液作用下可剥离。

进一步地，所述界面保护层包括SiNx层、SiO₂层以及SiNx与SiO₂的叠层。

进一步地，所述界面保护层的厚度范围为2～6um。

进一步地，所述剥离层包括PI层以及PEN层。

进一步地，所述剥离层的厚度范围为2～6um。

第二方面，本发明提供了一种TFE遮罩免清洗工艺方法，应用于第一方面的TFE遮罩免清洗结构，所述方法包括：

首先在TFE遮罩上形成一层界面保护层，然后再在TFE遮罩上印刷一层剥离层；