[发明专利]一种TFE遮罩免清洗结构及工艺方法

权利要求书

1.一种TFE遮罩免清洗结构，其特征在于，包括：

界面保护层，形成于所述TFE遮罩上方，用于保护TFE遮罩表面的平整性，防止后续制程对TFE遮罩表面的腐蚀和破坏而引起精度偏差；

剥离层，形成于所述界面保护层上方，所述剥离层耐高温且化学性能稳定，用于隔绝绝缘，且在激光照射下或在蚀刻液作用下可剥离。

2.根据权利要求1所述的TFE遮罩免清洗结构，其特征在于：所述界面保护层包括SiNx层、SiO₂层以及SiNx与SiO₂的叠层。

3.根据权利要求1或2所述的TFE遮罩免清洗结构，其特征在于：所述界面保护层的厚度范围为2～6um。

4.根据权利要求1所述的TFE遮罩免清洗结构，其特征在于：所述剥离层包括PI层以及PEN层。

5.根据权利要求1或4所述的TFE遮罩免清洗结构，其特征在于：所述剥离层的厚度范围为2～6um。

6.一种TFE遮罩免清洗工艺方法，应用于如权利要求1-5任一项所述的TFE遮罩免清洗结构，所述方法包括：

首先在TFE遮罩上形成一层界面保护层，然后再在TFE遮罩上印刷一层剥离层；

当TFE遮罩积累了一定厚度的薄膜时，人工拆卸TFE遮罩，把拆卸后的遮罩放入激光剥离机下进行激光剥离，经过剥离工艺之后，剥离层被碳化，采用酒精清理遮挡板表面，然后在TFE遮罩上再次印刷一层剥离层，固化后重复上机使用。

7.根据权利要求6所述的TFE遮罩免清洗工艺方法，其特征在于：所述界面保护层通过化学气相沉积形成；所述剥离层通过丝网印刷、涂布机、或者喷墨打印印刷形成；激光能量功率为1～10W；酒精为纯度98％的酒精。

8.一种TFE遮罩免清洗工艺方法，应用于如权利要求1-5任一项所述的TFE遮罩免清洗结构，所述方法包括：

首先在TFE遮罩上沉积一层界面保护层，然后再在TFE遮罩上印刷一层剥离层；

当TFE遮罩积累了一定厚度的薄膜时，人工拆卸TFE遮罩，把拆卸后的遮罩传入蚀刻槽，采用酸性蚀刻液进行浸泡，剥离层在酸性溶液中溶解使得表面积累的无机薄膜整块脱落，从而达到免清洗；然后在TFE遮罩上再次印刷一层剥离层，固化后重复上机使用。

9.根据权利要求8所述的TFE遮罩免清洗工艺方法，其特征在于：所述界面保护层通过化学气相沉积形成；所述剥离层通过丝网印刷、涂布机、或者喷墨打印印刷形成；所述酸性蚀刻液包括硝酸、醋酸和草酸。