[发明专利]一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法

说明书

本发明公开了一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，属于炭黑检测领域，一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温，所述S1中，将生长后的碳化硅晶体依次码放在坩埚中，晶体与坩埚埚壁之间保留间隙，且间隙距离保持在2‑5cm；每层晶体之间采用耐热高分子材料(聚酰亚胺)进行分隔，它可以实现，根据坩埚内部温度变化，自动调整温度升降，大大节省了电能损耗，同时可远程监测控制坩埚内部温度信息。

技术领域

本发明涉及碳化硅制备领域，更具体地说，涉及一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法。

背景技术

碳化硅晶体在制备工艺中，其中一步需要将定量籽晶投入生长炉中炼制，经过指定的高温和时间炼制生长，最终形成碳化硅晶体毛坯，为了保障晶体的强度质量及密度，需要将生长后的晶体放置在保温设备中加以强化，确保后期制备质量。

目前用于碳化硅晶体的保温设备，一般都是根据碳化硅晶体的数量及规格，设定一个准确的保温温度，加热设施为达到持续恒温效果，需要一直处于运行状态，这在一定程度上增加了电能损耗，并且对于设备内部温度的监测通常只能在设备显示器上显示，不能通过远程温度监测和控制，在保温过程中，需要工作人员实时查看，增加了生产成本。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，它可以实现，根据坩埚内部温度变化，自动调整温度升降，大大节省了电能损耗，同时可远程监测控制坩埚内部温度信息。

2.技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。

一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：

S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；

S2：利用保温模块进行保温；

S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；

S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温。

进一步的，所述S1中，将生长后的碳化硅晶体依次码放在坩埚中，晶体与坩埚埚壁之间保留间隙，且间隙距离保持在2-5cm；

每层晶体之间采用耐热高分子材料(聚酰亚胺)进行分隔。

进一步的，所述S2中，保温模块包括加热模块和保温结构：

加热模块上包含加热线圈，加热线圈采用螺旋式缠绕在坩埚外围，且加热线圈温度可产生0-500℃高温，对坩埚内部保温；

保温结构采用双层包裹且不与加热线圈接触，保温材料为：玻璃棉、气凝胶毯、玻璃纤维等其中任选两种搭配使用；

当晶体码放完毕后，将坩埚利用埚盖进行封闭，并根据设定温度启动加热线圈进行加热，加热线圈热量对坩埚进行加热并将热量传递到坩埚内部，使得坩埚内部温度保持在设定的温度区间内；

当加热线圈加热到设定温度区间内，可停止加热，利用保温结构上的双层保温层可对坩埚内碳化硅进行保温。

进一步的，所述S3中，测温模块包括红外线测温仪、温度传感器、无线通信模块；

红外线测温仪安装在坩埚内部，对坩埚内部温度进行实时监测，确保坩埚内部温度保持在设定的温度区间内；

温度传感器安装在保温模块内部，对加热线圈及保温材料温度进行监控，且温度传感器与红外线测温仪通过无线通信模块进行连接，可将坩埚内外部温度信息共享；