[发明专利]一种太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，其包括N型硅片，所述N型硅片的正面设置有含有硼的掺杂区，所述掺杂区分为轻掺杂区和重掺杂区，所述轻掺杂区中的硼浓度小于所述重掺杂区的硼浓度，所述轻掺杂区的结深小于所述重掺杂区的结深；

所述N型硅片的正面还依次叠加设置有钝化层、第一减反射层；所述第一减反射层的表面对应所述重掺杂区的区域设置有电极，且所述电极穿透所述第一减反射层和所述钝化层与所述重掺杂区形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述轻掺杂区的硼浓度为10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3，所述重掺杂区的硼浓度为10¹⁹cm^-3～10²⁰cm^-3。

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述轻掺杂区的结深为0.4～0.8μm，所述重掺杂区的结深为1.0～1.4μm。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述N型硅片的背面依次叠加设置有多晶硅层、第二减反射层。

5.一种权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

使用气相硼源在N型硅片的正面进行第一次硼扩散，以在所述N型硅片的正面形成轻掺杂区和厚度不大于10nm的硼硅玻璃层；

将硼浆涂覆在所述硼硅玻璃层的表面，并使用所述硼浆进行第二次硼扩散，以形成重掺杂区；

除去所述硼硅玻璃层，并在所述N型硅片的正面依次形成钝化层、第一减反射层，并在所述第一减反射层的表面对应所述重掺杂区的区域印刷电极，且所述电极穿透所述第一减反射层和所述钝化层与所述重掺杂区形成欧姆接触。

6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述第一次硼扩散的步骤中，温度为850～1000℃。

7.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述第一次硼扩散的步骤中，所述气相硼源为BCl₃、BBr₃、BH₃中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述第二次硼扩散的步骤时，先通入氧气并在700～800℃下处理30～60min以除去所述硼浆中的杂质；之后停止通入氧气，在无氧条件下于900～1100℃处理10～60min。

9.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，采用气相沉积的方式形成所述钝化层或所述第一减反射层。

10.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述重掺杂区之后，其还包括以下步骤：

在所述N型硅片的背面依次形成多晶硅层、第二减反射层。