[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储控制器，在所述存储装置中执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛。

本申请要求于2021年11月15日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0156466号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例涉及存储装置及其操作方法。

背景技术

在非易失性存储器装置中存储数据的存储器单元的可存储位数正在增加。因此，用于制造非易失性存储器装置的工艺的集成度也在增加。

在这种情况下，可在制造之后对包括非易失性存储器装置的存储装置进行组装的处理中(例如，在对购买存储装置的客户的板进行组装期间)执行热处理。

在这种情况下，由于施加到存储装置的热量，在存储装置中的存储器单元中可能发生故障。

发明内容

本公开的实施例提供了一种防止或减少由于施加到存储装置的热处理而导致的存储器单元的劣化的效率被提高的存储装置。

本公开的实施例提供了一种防止或减少由于施加到存储装置的热处理而导致的存储器单元的劣化的效率被提高的存储装置的操作方法。

本公开的实施例提供了一种防止由于施加到存储装置的热处理而导致的存储器单元的劣化的效率被提高的存储装置中的保护单元的方法。

根据本公开的实施例，一种存储装置包括：存储控制器，在所述存储装置中执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛。

根据本公开的实施例，一种存储装置的操作方法包括：通过存储控制器接收保护命令，保护命令用于通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，当所述存储装置被执行热处理时，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛；通过将从存储控制器接收的保护电压施加到存储数据的非易失性存储器来将保护图案编程在收敛区域中；以及将指示保护图案被编程在非易失性存储器中的响应从非易失性存储器发送给存储控制器。

根据本公开的实施例，一种保护单元的操作方法包括：确定收敛区域，在收敛区域中，当热被施加到存储装置时，存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛；在热被施加到存储装置之前，将保护电压编程在收敛区域中；以及对存储装置执行热处理。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上、其他方面和特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是示出根据示例实施例的存储系统的框图；

图2是示出根据示例实施例的图1的存储器装置的框图；

图3是示出根据示例实施例的图2的非易失性存储器装置的框图；

图4是示出根据示例实施例的适用于非易失性存储器装置的3D V-NAND结构的示图；

图5是示出由于热处理而导致的存储器单元的劣化的曲线图；

图6是根据示例实施例的编程存储装置的保护电压的曲线图；

图7是示出根据示例实施例的存储装置的操作方法的梯形图；

图8是示出根据示例实施例的存储装置的保护单元的操作方法的流程图；

图9是示出根据示例实施例的对存储装置执行热处理的情况的流程图；以及

图10是示出根据示例实施例的包括存储系统的系统的框图。