[发明专利]存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

存储控制器，在所述存储装置被执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的多个存储器单元的阈值电压分布向收敛区域收敛。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，保护电压通过一次编程被编程。

3.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

存储器装置，包括存储数据的非易失性存储器，

其中，存储控制器在接收到保护命令时将保护电压编程在非易失性存储器中。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，数据不存储在所述多个存储器单元之中的被编程保护电压的存储器单元中。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，保护命令通过管理命令集被发送。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，保护命令通过固件提交命令被发送。

7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的存储装置，其中，收敛区域是电压区域，并且收敛区域高于第一单元分布电压。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，收敛区域低于不同于第一单元分布电压的第二单元分布电压。

9.一种存储装置的操作方法，所述操作方法包括：

通过存储控制器接收保护命令，保护命令用于通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，当所述存储装置被执行热处理时，所述存储装置中的多个存储器单元的阈值电压分布向收敛区域收敛；

通过将从存储控制器接收的保护电压施加到存储数据的非易失性存储器，来将保护图案编程在收敛区域中；以及

将指示保护图案被编程在非易失性存储器中的响应从非易失性存储器发送给存储控制器。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，保护电压通过一次编程被编程。

11.根据权利要求9所述的操作方法，其中，数据不存储在所述多个存储器单元之中的被编程保护电压的存储器单元中。

12.根据权利要求9所述的操作方法，其中，保护命令通过管理命令集被发送。

13.根据权利要求12所述的操作方法，其中，保护命令通过固件提交命令被发送。

14.根据权利要求9至权利要求13中的任意一项所述的操作方法，其中，收敛区域是电压区域，并且收敛区域高于第一单元分布电压。

15.根据权利要求14所述的操作方法，其中，收敛区域低于不同于第一单元分布电压的第二单元分布电压。

16.一种保护单元的操作方法，所述操作方法包括：

确定收敛区域，当热被施加到存储装置时，存储装置中的多个存储器单元的阈值电压分布向收敛区域收敛；

在热被施加到存储装置之前，将保护电压编程在收敛区域中；以及

对存储装置执行热处理。

17.根据权利要求16所述的操作方法，其中，保护电压通过一次编程被编程。

18.根据权利要求16所述的操作方法，其中，数据不存储在所述多个存储器单元之中的被编程保护电压的存储器单元中。

19.根据权利要求16所述的操作方法，其中，收敛区域是电压区域，并且收敛区域高于第一单元分布电压。

20.根据权利要求19所述的操作方法，其中，收敛区域低于不同于第一单元分布电压的第二单元分布电压。