[发明专利]负性光敏树脂及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202211301073.5 申请日: 2022-10-24
公开(公告)号: CN115536841B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 曹志文;郑爽;吴敏铭;王蒙娜 申请(专利权)人: 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
主分类号: C08G69/44 分类号: C08G69/44;G03F7/038;G03F7/20
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘薇
地址: 510700 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 光敏 树脂 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明提供一种负性光敏树脂及其制备方法与应用,所述负性光敏树脂如式(1)所示,其中,‑ORsubgt;1/subgt;每次出现,分别独立地选自第一基团和第二基团,第一基团为含羟基的丙烯酸酯类单体的酯化残基,第二基团包括含羟基的多元醇醚类单体的酯化残基和含羟基的多元醇酯类单体的酯化残基中的至少一种;且至少部分‑ORsubgt;1/subgt;选自第二基团;每次出现,分别独立地选自环原子数为6~60的芳香族四酸单体残基,每次出现,分别独立地选自环原子数为6~60的芳香族二胺单体残基;Xsubgt;1/subgt;每次出现,分别独立地选自H或碳原子数为1~10的烷基,b选自1~4任一整数,Y选自单键、O或碳原子数为1~10的烷烃亚基;m满足:0<m≤1,n表示聚合度,*表示连接位点。

技术领域

本发明涉及功能高分子材料领域,特别是涉及一种负性光敏树脂及其制备方法与应用。

背景技术

近年来,超大规模集成电路(ULIC)制造与封装技术向着相互融合化、一体化方向发展。为了实现ULIC电路的高密度、超薄型、超微型封装,许多集成电路制造厂家在完成ULSI电路制作后,需在其表面继续制作多层金属互连电路以实现BGA、CSP、WLP、SiP等先进IC封装。常采用紫外光刻工艺技术,将光敏性树脂层间介质绝缘层与金属铜导体布线层交替叠加而成。

光敏性聚酰亚胺类树脂(Photosensitive Polyimides,PSPI)由于具有出色的热稳定性能、机械强度、介电性能以及溶液可加工性能成为半导体行业重要的绝缘材料,常被用作集成电路中的缓冲层、钝化层、多层互连的平坦化层以及层间介质层等。光敏性聚酰亚胺类树脂分为正性和负性,前者是曝光区域在显影剂中溶解,后者是曝光区域交联固化不再溶于显影剂。负性光敏聚酰亚胺在曝光区的紫外辐照下通过感光基团交联形成交联网状结构,实现负性光刻。

然而传统的负性光敏聚酰亚胺存在难以兼具高分辨率及高断裂伸长率的问题,难以满足作为封装用介电层材料的应用需求,且无法满足集成电路对耐久性和耐冲击性的要求。因此,现有技术仍有待改进。

发明内容

基于此,本发明提供了一种负性光敏树脂及其制备方法与应用,该负性光敏树脂兼具高分辨率及柔韧性,进而提高了高耐久性和耐冲击性。

本发明的技术方案如下。

本发明的一方面提供了一种负性光敏树脂,所述负性光敏树脂如式(1)所示:

其中,-OR1每次出现,分别独立地选自第一基团和第二基团,所述第一基团为含羟基的丙烯酸酯类单体的酯化残基,所述第二基团包括含羟基的多元醇醚类单体的酯化残基和含羟基的多元醇酯类单体的酯化残基中的至少一种;且至少部分-OR1选自所述第二基团;

每次出现,分别独立地选自环原子数为6~60的芳香族四酸单体残基,每次出现,分别独立地选自环原子数为6~60的芳香族二胺单体残基;

X1每次出现,分别独立地选自H或碳原子数为1~10的烷基,b选自1~4任一整数,Y选自单键、O或碳原子数为1~10的烷烃亚基;

m满足:0<m≤1,n表示聚合度,*表示连接位点。

在其中一些实施例中,所述负性光敏树脂中,所述第一基团与所述第二基团的摩尔数比为1:(0.01~0.4)。

在其中一些实施例中,Ar1每次出现,分别独立地选自如下任一结构:

其中,R3每次出现,分别独立地选自碳原子数为1~5的烷烃亚基或O;

*表示连接位点。

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