[发明专利]一种玻璃基mini LED电路板制作方法及电路板

权利要求书

1.一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

S10：取玻璃基板，在所述玻璃基板上贴附微粘膜层，形成微粘膜玻璃基板结构；

S20：取半固化片层，按照所述玻璃基板的尺寸对所述半固化片层制作第一开窗区域，将所述微粘膜玻璃基板结构放置入所述第一开窗区域中，形成第一固定结构；

取第一铝片层，在所述第一铝片层上涂覆第一胶层，形成第一支撑结构；

将所述第一固定结构的所述微粘膜层的一面与所述第一支撑结构的所述第一胶层的一面相互粘合；

取第二铝片层，在所述第二铝片层上涂覆第二胶层，对贴附所述第二胶层之后的所述第二铝片层制作第二开窗区域，形成第二支撑结构，所述第二开窗区域的尺寸小于所述玻璃基板的尺寸；

将所述第二支撑结构的所述第二胶层的一面，对位贴附于所述第一固定结构上，所述第二开窗区域的边缘均覆盖于所述玻璃基板上，并露出所述玻璃基板需要加工线路图形的区域；

整体形成第一加工结构；

S30：在所述第一加工结构的所述第二铝片层的一面整面贴附第一干膜层，按照第一所需图形进行曝光→显影→烘烤；

再进行等离子处理加工；

随后进行褪膜→清洁加工处理；

形成第二加工结构；

S40：在所述第二加工结构的所述第一铝片层的一面，贴附PI保护膜层，再进行沉铜→全板电镀加工，在所述第二加工结构的所述玻璃基板的一面形成沉铜层和全板电镀层；

在所述全板电镀层上贴附第二干膜层，并按照第二所需图形进行曝光→显影→蚀刻→褪膜加工；

形成第三加工结构；

S50：去掉所述第一支撑结构及所述第一固定结构及所述第二支撑结构及所述PI保护膜层；

形成所述玻璃基mini LED电路板。

2.如权利要求1所述的一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述S50包括：

S510：在所述第三加工结构的所述玻璃基板的一面贴附第三干膜层，按照第三所需图形进行曝光→显影；

再进行酸洗，褪掉所述第二铝片层；

形成第四加工结构；

S520：使用激光烧蚀去掉所述第二开窗区域覆盖于所述玻璃基板上的所述第二胶层；

再整体去掉剩余的所述第二胶层，同时去掉所述半固化片层及所述第一胶层及所述第一铝片层及所述PI保护膜层；

随后去掉所述微粘膜层，并进行褪膜处理，褪去所述第三干膜层；

最后进行清洁处理，形成所述玻璃基mini LED电路板。

3.如权利要求1所述的一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述第一铝片层的厚度大于所述第二铝片层的厚度。

4.如权利要求1所述的一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述PI保护膜的尺寸与所述第一铝片层的尺寸与所述第一胶层的尺寸与所述半固化片层的尺寸与所述第二胶层的尺寸与所述第二铝片层的尺寸相等。

5.如权利要求1所述的一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述半固化片层的尺寸大于所述玻璃基板的尺寸，所述半固化片层的厚度等于所述玻璃基板的厚度与所述微粘膜层的厚度之和。

6.如权利要求1所述的一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述第二开窗区域尺寸单边小于所述玻璃基板的50μm至200μm。

7.如权利要求1所述的一种玻璃基mini LED电路板制作方法，其特征在于，所述等离子处理加工的参数为：

第一加工段：氮气180sccm至220sccm，氧气1600sccm至2000sccm，功率为4kW至8kW，处理时间10分钟至20分钟；

第二加工段：氮气140sccm至180sccm，氧气1060sccm至1460sccm，四氟化氮220sccm至250sccm，功率为4kW至8kW，处理时间20分钟至30分钟。